1. Investigashon Sientífiko di Material i Integridat Struktural
1.1 Kímika di Kristal i Karakterístika di Enlase
(Krusibelnan di Karburo di Silikon)
Karburo di silikon (SiC) ta un serámika kovalente trahá di atòmnan di silikon i karbon poné den un retikulo tetraédriko, prinsipalmente den heksagonal (4H, 6H) òf kúbiko (3C) politiponan, kada un ta mustra un duru di enlase atómiko fenomenal.
E Si– C bond, ku un energia di vínkulo di alrededor di 318 kJ/mol, ta entre esunnan mas grandi den porselana arkitektóniko, dunando seguridat termal eksepshonal, firmesa, i resistensia na atake kímiko.
E ret kovalente robusto aki ta resultá den un material ku un punto di smelt ku ta bai mas leu ku 2700 ° C(sublime), hasiendo esaki un di e serámika no-òksido mas refraktario fásilmente disponibel pa aplikashonnan na temperatura haltu.
Kontrali na porselana di òksido manera alumina, SiC ta mantené forsa mekaniko i resistensia na krep na temperaturanan riba 1400 ° C, kaminda hopi metal i serámika konvenshonal ta kuminsá suavisá òf deteriorá.
Su koefisiente di kresementu termal redusí (~ 4.0 × 10 ⁻6/ K) integrá ku konduktividat termal haltu (80– 120 W/(m · K)) ta permití siklo termal rápido sin splitmentu devastador, un atributo esensial pa rendimentu di krusial.
E edifisionan inherente aki ta bini di e elektronegatividat bon balansá i tamañonan atómiko similar di silikon i karbon, ku ta promové un kuadro di kristal sumamente stabil i pa gran parti yená.
1.2 Mikrostruktura i Resiliensia Mekániko
Krusibelnan di karburo di silikon ta wòrdu trahá komunmente for di pulvernan di SiC sinterisá òf pegá na reakshon, ku mikrostruktura ta hunga un deber definitivo den durabilidat i resistensia na shòk termal.
Krusibelnan di SiC sinterisa ta wòrdu kreá via sinterisashon den estado sólido òf den fase líkido na nivelnan di temperatura riba 2000 ° C, hopi bia ku aditivonan di boro òf karbon pa impulsá densifikashon i koheshon di límite di grano.
E proseso aki ta generá un, kuadro di grano fini ku porosidat mínimo (
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