1. Бәллүр каркас һәм анисотропны бүлү
1.1 2H һәм 1T полиморфлары: Архитектура һәм санлы икеләтәлек
(Молибден Дисульфид)
Молибден диффид (ИКЕ) is a split transition steel dichalcogenide (TMD) with a chemical formula including one molybdenum atom sandwiched in between two sulfur atoms in a trigonal prismatic coordination, ковалентлы бәйләнгән S формалаштыру– М.– S таблицалары.
These specific monolayers are piled vertically and held with each other by weak van der Waals forces, allowing very easy interlayer shear and exfoliation down to atomically thin two-dimensional (2D.) кристаллар– an architectural function main to its varied useful duties.
MoS ₂ exists in multiple polymorphic kinds, the most thermodynamically steady being the semiconducting 2H stage (hexagonal symmetry), монда һәр катлам туры band полосасын күрсәтә 1.8 eV турыдан-туры тасмага күчү монолайер тибында (~ 1.3 eV) wholesale, a phenomenon vital for optoelectronic applications.
Икенче яктан, 1T этап (tetragonal balance) takes on an octahedral coordination and acts as a metallic conductor because of electron contribution from the sulfur atoms, электрокатализ һәм үткәргеч кушылмаларда куллану мөмкинлеге бирә.
2H һәм 1T арасындагы этап күчү химик яктан булырга мөмкин, электрохимик, яки басым дизайны аша, күп функцияле җайланмаларны проектлау өчен көйләнә торган платформа белән тәэмин итү.
Бу этапларга булышу һәм үрнәк алу мөмкинлеге бердәнбер электрон доменлы самолет гетероструктуралары өчен юллар ача..
1.2 Кимчелекләр, Допинг, һәм чит илләр
Каталитик һәм санлы кушымталарда MoS икесенең эшләве - атом масштабындагы проблемалар һәм допантлар.
Күкерт ачу кебек инновацион нокталар проблемалары электрон өлеш кертүчеләр ролен башкара, n тибындагы үткәрүчәнлекне күтәрү һәм водород үсеше реакцияләре өчен актив вебсайтлар булып эшләү (HER) су бүленешендә.
Ашлык чикләре һәм линия проблемалары түләү транспортын чикләргә яки җирле үткәргеч юллар чыгарырга мөмкин, атом конфигурациясенә таянып.
Changeзгәртү металллары белән көйләнгән допинг (мәс., Re, Nb) яки халькогеннар (мәс., Se) тасма рамкасын яхшы көйләргә мөмкинлек бирә, тәэмин итүче концентрациясе, һәм спин-орбита нәтиҗәләрен берләштерә.
Мөһим, MoS ягы ике наношет, аеруча Mo-металл (10– 10) кырлары, инерт базаль самолетка караганда катализатор активлыкны күрсәтегез, Наноструктуралы стимуляторларның макетын илһамландырып, кыр экспозициясен иң яхшы кулланып.
( Молибден Дисульфид)
Бу җитешсезлекләр белән эшләнгән системалар атом дәрәҗәсендәге манипуляциянең гадәти булган минералны югары җитештерүчән практик материалга ничек үзгәртә алуын күрсәтәләр..
2. Синтез һәм нанофабрикат стратегиясе
2.1 Күп һәм нечкә кино җитештерү алымнары
Табигый молибденит, MoS mineral минераль формасы, чыннан да еллар дәвамында көчле люб булып кулланыла, ләкин хәзерге заявкалар югары чисталык таләп итә, структур контроль ясалма төрләр.
Химик пар парламенты (CVD) зур мәйдан булдыру өчен алдынгы техника, SiO TWO / Si кебек субстратларда югары кристалллы монолайер һәм берничә катлы MoS ₂ фильмнар., сапфир, яки җайлаштырылган полимерлар.
CVDда, молибден һәм күкерт прекурсорлары (мәс., MoO дүрт һәм S порошогы) җылылыкта парланалар (700– 1000 ° C. )контроль шартларда, көйләнә торган домен үлчәме һәм тигезләү белән катлам-кат үсешкә мөмкинлек бирү.
Механик эксфолиация (“скотч тасмасы”) тикшеренү-класс үрнәкләре өчен стандарт булып кала, маргиналь җитешсезлекләр белән ультра чиста монолайерлар булдыру, масштаблылыгы булмаса да.
Сыек фазалы кабык, эреткечләрдә яки сирфактант эремәләрдә масса кристаллларының соникациясен яки кыркышын кертеп, бетү өчен яраклы берничә катлы наношетларның коллоид дисперсиясен барлыкка китерә, композитлар, һәм сыя формуляцияләре.
2.2 Гетероструктура комбинациясе һәм җайланма үрнәге
MoS of хакыйкать потенциалы вертикаль яки капиталь гетероструктураларга графен кебек башка 2D материаллар белән кертелгәндә барлыкка килә., алты почмаклы бор нитриды (h-BN), яки WSe ₂.
Бу ван дер Вальс гетероструктуралары атом төгәл җайланмаларны урнаштырырга мөмкинлек бирә, тоннель транзисторларын кертеп, фотодетекторлар, һәм яктылык җибәрүче диодлар (Светофор), монда үзара түләү һәм электр тапшыру ясалырга мөмкин.
Литографик паттеринг һәм эфир стратегиясе нанориббоннар ясарга мөмкинлек бирә, квант нокталары, һәм кыр-эффект транзисторлары (ФЕТ) канал зурлыклары белән дистәләрчә нанометрга кадәр.
H-BN белән диэлектрик анкапсуляция MoS environmental экологик җимерелүдән саклый һәм түләү таралуны киметә, хезмәт күрсәтүченең сыгылучылыгын һәм корал куркынычсызлыгын сизелерлек арттыру.
Бу төзелеш казанышлары MoS икесен лаборатория кызыксынуыннан киләсе буын наноэлектроникасында мөмкин булган компонентка күчү өчен бик мөһим..
3. Функциональ үзенчәлекләр һәм физик механизмнар
3.1 Трибологик гадәтләр һәм көчле майлау
MoS ofның иң борыңгы һәм чыдам кушымталары арасында сыек майлар аз булган экстремаль мохиттә коры көчле люб кебек.– чистарткыч кебек, җылылык, яки криогеник шартлар.
Ван дер Вальсның юкка чыгу арасындагы кыскарту көче S арасында бик җиңел сикерергә мөмкинлек бирә– М.– S катламнары, 0,03 кимегәндә сөртү коэффициентына китерә– 0.06 идеаль проблемалар астында.
Аның эшләнеше металл өслек өлкәләренә нык ябышу һәм ox кадәр оксидлашуга каршы тору белән көчәйтелә 350 ° C һавада, Моннан тыш MoO биш формалашу киемне көчәйтә.
MoS aer аэрокосмик системаларда киң кулланыла, һава насосы, һәм мылтык компонентлары, гадәттә яндыру ярдәмендә бетү буларак кулланыла, бөтерелү, яки полимер матрицаларга композицион берләшү.
Соңгы тикшеренүләр шуны күрсәтә: дымлылык үзара бәйләнешне күтәреп майлауны зәгыйфьләндерә ала, әйләнә-тирә мохитнең тотрыклылыгы өчен гидрофобик капламалар яки гибрид любалар буенча тикшеренүләр үткәрү.
3.2 Электрон һәм оптоэлектрон элемтә
Монолайер төрендәге туры ярымүткәргеч буларак, MoS solid каты яктылык матдәләренең үзара бәйләнешен күрсәтә, артык үзләштерү коэффициентлары белән 10 ⁵ сантиметр ⁻¹ һәм фотолуминцензиядә югары квант кайтуы.
Бу ультратин фотодетекторлары өчен идеаль итә, тиз эш вакыты һәм киң полосалы сизгерлек дәрәҗәсе, күренгәннән инфракызыл дулкын озынлыкларына кадәр.
Монолайер MoS нигезендә кыр-эффект транзисторлары on күрсәткечләрен күрсәтәләр / сүндерәләр> 10 сигезгә кадәр инвалид коляскалары 500 туктатылган мисалларда сантиметр ² / V · s, субстрат үзара бәйләнеш гадәттә практик кыйммәтләрне 1 белән чикли– 20 см ИКЕ / V · s.
Әйләнү үзәнлеге, Көчле спин-орбита үзара тәэсир итү һәм инверсия балансы эффекты, валитроника мөмкинлеген бирә– момент киңлегендә үзәнлек дәрәҗәсен кулланып язылган мәгълүмат өчен роман парадигмасы.
Бу квант күренешләре MoS low аз көчле логикага кандидат итеп куя, хәтер, һәм квант компьютер аспектлары.
4. Көчтә кушымталар, Катализ, һәм барлыкка килүче технологияләр
4.1 Водород эволюциясенә җавап өчен электрокатализ (HER)
MoS two водород эволюция реакциясендә платина өчен кыйммәтле булмаган сайлау булды (HER), яшел водород җитештерү өчен су электролизында мөһим процедура.
Базаль самолет катализатор инерт булганда, кыр кырлары һәм күкерт эше оптималь водород adsorption мактау көчен күрсәтәләр (ΔG_H * ≈ 0), Pt.
Наноструктуралаштыру техникасы– өскә һәм аска туры наношетларны үстерү кебек, кимчелекләргә бай кинолар, яки Ni яки Co белән наркотиклар кулланган гибридлар– актив сайт калынлыгын һәм электр үткәрүчәнлеген максимальләштерү.
Электродларга углерод нанотубы яки графен кебек үткәргеч тотрыклы интеграцияләнгәндә, MoS ике кислоталы яки нейтраль шартларда югары булган тыгызлыкны һәм озак вакытлы тотрыклылыкны башкара.
Өстәмә көчәйтү металл 1Т этапны тотрыклыландырып ирешелә, эчке үткәрүчәнлекне арттыра һәм өстәмә энергияле вебсайтларны ачып бирә.
4.2 Күпкырлы электрон җайланмалар, Сенсорлар, һәм квант җайланмалары
Механик сыгылучылык, ачыклык, һәм MoS икесенең өслек-күләм күләме аны сыгылучан һәм киеп була торган электрон җайланмалар өчен искиткеч итә.
Транзисторлар, логик схемалар, һәм хәтер кораллары пластик субстратумнарда күрсәтелгән, бөкләнә торган экраннарга рөхсәт, сәламәтлек күрсәтү, һәм IoT сизү берәмлекләре.
ИК ИК нигезендәге газ сизү берәмлекләре ИКЕ NOКкә югары сизгерлек күрсәтәләр, NH ИКЕ, һәм H ИКЕ О молекуляр adsorption буенча исәп-хисап күчерү нәтиҗәсендә, суб-секунд массивында җавап вакытлары белән.
Квант заманча технологияләрдә, MoS ике хуҗа криоген температурасы дәрәҗәсендә локальләштерелгән экзитоннарны һәм трионнарны кабул итә, һәм псевдомагнит кырлары йөртүчеләрне капларга мөмкин, бер фотонлы эмитерлар һәм квант нокталарын булдыру.
Бу үсеш функциональ продукт буларак кына түгел, ә минималь үлчәүләрдә төп физиканы тикшерү системасы буларак MoS икесен күрсәтә.
Йомгаклап, молибден дисулфид вакытсыз продуктларның фән һәм квант инженериясе кушылуын күрсәтә.
Аның майлау матдәсе буларак борыңгы роленнән алып, хәзерге вакытта атом нечкә электрон җайланмаларда һәм электр системаларында чыгарылышына кадәр, MoS nan наноскаль продуктлар стилендә мөмкин булган чикләрне яңадан билгеләү өчен кала.
Синтез буларак, характеристика, һәм ассимиляция техникасын алга җибәрү, аның фән һәм инновацияләрдәге эффекты тагын да яхшырак булырга әзер.
5. Провайдер
TRUNNANO - дөньяда танылган Молибден Дисулфид җитештерүче һәм күбрәк катнашмалар белән тәэмин итүче 12 югары сыйфатлы наноматериаллар һәм башка химик матдәләр буенча күп еллык тәҗрибә. Компания төрле порошок материаллары һәм химикатлар эшләп чыгара. OEM хезмәтен күрсәтегез. Сезгә югары сыйфатлы Молибден Дисульфид кирәк булса, зинһар, безнең белән элемтәгә керергә ирек бирегез. Сез безнең белән элемтәгә керү өчен продуктка басыгыз.
Теги: Молибден Дисульфид, нано молибден диффид, MoS2
Барлык мәкаләләр дә, рәсемнәр дә Интернеттан. Әгәр дә авторлык проблемалары булса, бетерү өчен зинһар, безнең белән элемтәгә керегез.
Безне сора