1. Кристалл кышкар да шеледымаш анизотропий
1.1 2Н да 1Т полиморф-влак: Архитектур да цифровой дуальность
(Молибден дисульфид)
Молибден дисульфид (MoS ₂) — тиде шеледалтше металл дихалькогенид (ТМД) ик молибден атом гыч шогышо химий формулым дене 2 тригональный призматический синхронизацийыште кӱртньӧ атом-влак, ковалентно кылдалтше S-ым ыштымаш– Мо– S лист-влак.
Тиде частный монослой-влак ӱлыкӧ-ӱлыкӧ чумыргеныт да икте-весе дене лушкыдо ван-дер-Ваальс давлений дене кучалтыныт, тыглай межслойный шелше да отшелушивание йӧным пуа, атомно вичкыж кок мер (2D) кристалл-влак– тӱрлӧ функциональный рольлан тӱҥ структурный ойыртем.
MoS кок икмыняр полиморфный тӱрлӧ уло, эн термодинамически лӱдыкшыдымӧ — полупроводник 2Н фазы (гексагональный баланс), кушто кажне пачаш тура полоса ойыртемым ончыкта ~ 1.8 eV монослойный типыште, тудо косвенный диапазоныш кусна (~ 1.3 эВ) опта, оптоэлектронный приложенийлан кӱлешан шижмаш.
Вес могырым, метастабильный 1Т фазе (тетрагональный пропорций) октаэдрический синхронизацийым шке радамышкыже пурта да кӱртньӧ атом-влак деч электрон пуымо дене кылдалтше металл проводник семын шкежым куча, электрокатализыште да ток вӱдышӧ композитлаште кучылташ йӧным пуышо.
2Н ден 1Т коклаште фазный вашталтышым химий йӧн дене тарваташ лиеш, электрохимически, але стресс дизайн гоч, шуко функциян ӱзгар-влакым ыштыме шотышто келыштарыме системым пуымаш.
Тиде фазе-влакым шкетын лышташ кӧргыштӧ пространственно поддержатлаш да образецлаш лийме йӧн ойыртемалтше электрон домен дене плоскостьышто улшо гетероструктур-влаклан корным почеш.
1.2 Ситыдымаш-влак, Допинг, да ӧрдыж штат-влак
Каталитический да цифровой приложенийыште MoS кок пайдалыкше атом масштабан йодышлан да легирующий вещества-влаклан моткоч шижтарен.
Шӧртньӧ точко ситыдымаш-влак, мутлан, кӱртньӧ паша, электрон донор семын служитлат, n-тип проводимостьым нӧлталмаш да водород вияҥме вашмутлан чолга сайт семын выступатлымаш (ТУДЫМ) вӱд шеледымаште.
Пырче чек да линий дене кылдалтше проблеме-влак роскот транспортлан чаракым ыштен кертыт але локализованный проводник корным вияҥден кертыт, нунын атомный настройкышт деч шога.
Сдвигаться полат дене регулироватлыме легироватлымаш (мутлан, Рен, Nb) але халкоген-влак (мутлан, Se) диапазон структурым раш келыштараш йӧным пуа, сервис-поставщик концентраций, да спин-орбита ушымаш лектыш.
Палемдыман, MoS кок нанолистын ӧрдыжшӧ, лӱмынак металл Mo-терминированный (10– 10) могыржо, инертный базальный самолёт деч ятырлан кугурак каталитический активностьым ончыктат, кумылаҥдыше макетшым наноструктурированный драйвер-влак дене эн сай кучылтмо четлыкыш тура волгалтарен.
( Молибден дисульфид)
Тиде ситыдымаш дене ыштыме системе-влак лач ончыктат, кузе атом кӱкшытан манипуляций пӱртӱсыштӧ улшо минералым кӱкшӧ лектышан пайдале продуктыш савырен кертеш.
2. Синтез да нанофабрикаций стратегий-влак
2.1 Оптовый да вичкыж плёнко дене ыштыме йӧн-влак
Пӱртӱс молибденит, минерал тип MoS 2, ийла дене виян смазочный материал семын кучылталтеш, туге гынат, кызытсе жапыште кучылтмо кӱкшӧ арулыкым йодеш, структурно виктаралтше искусственный формо-влак.
Химический пар дене оптымо (CVD) кугу кумдыкым ыштыме доминантный технике, кӱкшӧ кристалличность монослойный да икмыняр лончо MoS 2 плёнко-влак тыгай подложкаште, кузе SiO TWO/ Si, сапфир, але лывырге полимер-влак.
CVD годым, молибден да кӱртньӧ прекурсор-влак (мутлан, MoO куд да S порошок) шокшо годым испарятся (700– 1000 ° C )контроль атмосферыште, домен кугыт да ориентаций дене келыштарыме лончо гыч лончо кушмашлан йӧным ыштен.
Механике пилинг (“скотч дене лишеммаш”) шымлымаш кӱкшытан пример-влаклан стандарт семын кодеш, маргинальный ситыдымаш дене ультра-ару монослой-влакым ыштымаш, масштабируемость уке гынат.
Жидкофазный пилинг, тидын шотышто ультразвуковой але шейный мешаяш оптовый кристалл растворитель але ПАВ эмлымаш, икмыняр лончын нанолист-влакын коллоидный дисперсийыштым ышта, нуно лончылан келшен толыт, соединений-влак, да чернила формулировко-влак.
2.2 Гетероструктур ассимиляций да ӱзгар образец
MoS 2-н чын йӧнжӧ тыгай годым лектеш, кунам тудым вертикальысе але вел гетероструктурлашке моло 2D материал дене, мутлан, графен дене, пуртат, шестиугольник бор нитрид (h-BN), але WSe кок.
Тиде ван дер Ваальс гетероструктур-влак атом дене раш гаджетым ышташ йӧным пуат, туннельный транзистор гыч шогышо, фотодетектор-влак, да волгыдым лукшо диод-влак (Светодиод-влак), кушто межслойный заряд ден куатым кусарыме пашам ышташ лиеш.
Литографий образец да травление йӧн-влак нанолент-влакым ышташ йӧным пуат, квантовый точко-влак, да полевой эффект транзистор-влак (ФЭТ-влак) лу нанометр марте тор кужыт дене.
h-BN дене диэлектрический инкапсулироватлымаш MoS 2-ым экологий пудыртымаш деч арала да зарядын шаланымыжым иземда, поставщик-влакын тарванылмыштым да гаджетын пеҥгыдылыкшым ятырлан саемдаш.
Тиде производствышто сеҥымаш-влак MoS 2-ым лабораторий гыч у тукым наноэлектроникыште ыштен кертме ужашыш кусараш кӱлешан улыт.
3. Функциональный характеристикым да физический механизм-влакым
3.1 Трибологический койыш да пеҥгыде смазка
MoS кок-ын эн тошто да эн пеҥгыде кучылтмашыже-влак кокла гыч иктыже — экстремальный атмосферыште, кушто вӱдыжгӧ ӱй-влак локтылалтыт, пеҥгыде пеҥгыде смазкым ыштыме семын– пылесос гай, кугу температур, але криогенный проблеме-влак.
Ван дер Ваальс пространствын иземдыме межслойный шелын чытымашыже S коклаште тыглай лывыргылыкым пуа– Мо– S лончо-влак, 0,03 марте иземдыме ӱпшӧ коэффициентым тарватен– 0.06 эн сай условийыште.
Тудын паша лектышыже полат ӱмбалне пеҥгыде адгезий да ~ марте окисленийлан чытымаш дене эшеат кугемеш 350 ° C южышто, деч вара MoO ₃ лиймаш нумалмашым кугемда.
MoS ₂ тыглай аэрокосмический системылаште кучылталтеш, вакуумный насос-влак, да огнестрельный оружийым ужаш-влак, тыглай кучылталтше леведыш семын полироватлымаш гоч, шыргыжмаш, але полимер матрице-влакыш ушнымаш.
Кызытсе шымлымаш ончыкта: вӱдыжгылык слой кокласе адгезийым кугемдыме дене смазкым локтыл кертеш, экологий лӱдыкшыдымылыклан сайрак лийже манын, гидрофобный лончыш але смазочный вещества-влакым ушнаш кумылаҥдыше шымлымаш.
3.2 Цифровой да оптоэлектронный реакций
Монослойный формышто тура ойыртем полупроводник семын, MoS 2 волгыдо-вещества дене виян кылым ончыкта, деч кугурак поглощений коэффициент дене 10 сантиметр ⁻1 да фотолюминесценцийыште кугу квантовый лектыш.
Тиде тудым писын реакций жапыште да кумда полосан чулымлык дене ультратонкий фотодетектор-влаклан чапле ышта, ужмо гыч лишыл инфракрасный толкын кужыт марте.
Монослой MoS кок негызеш ыштыме полевой эффект транзистор-влак включение/выключение пропорцийым ончыктат > 10 кандаш да сервис-поставщик гибкость-влак иктаж 500 сантиметр ²/ V · s ӱмбалне шогышо образецлаште, гынат, субстрат коммуникаций тыглай чек практический суаплыкым 1– 20 см КОК/ V · s.
Спин-долина ушымаш, пеҥгыде спин-орбита вашкыл да локтылалтше инверсий пропорцийын лектышыже, valleytronics-лан йӧным ышта– энергий пӧлемыште эрыкан степеньым кучылтмо шотышто информацийым возымо шкешотан стандарт.
Тиде квантовый шижмаш-влак MoS 2-ым изи куатан логикылан кандидат семын вераҥдат, шарнымаш, да квантовый компьютер элемент-влак.
4. Куатан приложений-влак, Катализ, да лекше технологий-влак
4.1 Водородлан вашмутым пуымо шотышто электрокатализ (ТУДЫМ)
MoS кок чынжымак кумылаҥдыше шергакан огыл альтернатива лийын платин водород ончыко вашмут (ТУДЫМ), вӱд электролизыште экологийлан келшыше водород ыштен лукмаште кӱлешан процесс.
Негыз плоскость каталитический инертный годым, ӧрдыж вер-влак да кӱртньӧ паша-влак ончыктат лишыл-оптимальный водород адсорбция тӱрыснек яра энергий (ΔG_H * ≈ 0), Pt дене таҥастараш лиеш.
Наноструктурирование йӧн-влак– тыгай вертикальысе тӧрлымӧ нанолист-влакым ыштымаш, ситыдымашлан поян плёнко-влак, але Ni але Co дене легироватлыме гибрид-влак– активный сайт кӱжгыт да электричестве проводимость дене пайдаланаш.
Углерод нанотрубка але графен гай проводник ӱзгар дене электрод-влак дене пуртымо годым, MoS кок кугу кызытсе кӱжгыт да лӱдыкшыдымылыкым кислотада але нейтральный условийыште шукта.
Металл 1Т этапым кучымо дене утларак саемдымашым шуктат, кудо кӧргӧ проводимостьым кугемда да ешартыш чолга вер-влакым почын пуа.
4.2 Келыштарыме электронике, Датчик-влак, да квантовый ӱзгар-влак
Механике универсал, почылтмаш, да кугу ӱмбал-кугытшо ужаш MoS кок ыштен, тудо идеальная лывырге да носимый электронике.
Транзистор-влак, логике схемым, да шарнымаш гаджетым пластика подложкаште ончыктеныт, изгибаемый дисплей экран-влакым йӧным ыштымаш, тазалыкым ончыкта, да IoT датчик-влак.
MoS ₂ негызеш ыштыме газ датчик-влак NO ₂ деке кугу чулымлыкым ончыктат, NH THREE, да H TWO O молекулярный адсорбций годым счётыш кусарыме дене кылдалтын, подсекундный тӱрлӧ жапыште вашмут жап дене.
Квантовый кызытсе технологийыште, MoS 2 локализованный экситон ден трион-влакым криогенный температур кӱкшытыштӧ озалана, да штамм дене кылдалтше псевмагнитный кумдык-влак сервис-поставщик-влакым локтыл кертыт, ик фотон излучатель ден квантовый точко-влакым йӧным пуа.
These growths highlight MoS two not just as a useful material however as a system for exploring essential physics in decreased dimensions.
Иктешлен каласаш, molybdenum disulfide exemplifies the merging of classical products scientific research and quantum design.
From its ancient role as a lubricating substance to its modern deployment in atomically thin electronic devices and power systems, MoS two continues to redefine the borders of what is feasible in nanoscale materials design.
As synthesis, characterization, and assimilation methods development, its impact throughout scientific research and modern technology is positioned to expand even further.
5. Дистрибьютор
TRUNNANO is a globally recognized Molybdenum Disulfide manufacturer and supplier of compounds with more than 12 эн кӱкшӧ качестван наноматериал да моло химий вещества дене 20 ий пашам ыштен. Компаний тӱрлӧ порошок материалым да химий веществам ямдыла. OEM-сервисым пуаш. Тыланда кӱлеш гын, кӱкшӧ качестве молибден дисульфид, пожалуйста, мемнан дене кылым кучаш ида вожыл. Те мемнан дене кылдалтше продуктым темдал кертыда.
Тег-влак: Молибден дисульфид, нано молибден дисульфид, MoS2
Чыла статья ден сӱрет интернет гыч улыт. Авторский права дене кылдалтше йодыш-влак улыт гын, пожалуйста, жапыштыже мемнан дене кылдалтше кораҥдаш.
Мемнан деч йодса