1. Crystal Framework ati Pipin Anisotropy
1.1 Awọn 2H ati 1T Polymorphs: Ayaworan ati Digital Duality
(Molybdenum Disulfide)
Molybdenum disulfide (MOS ₂) jẹ dichalcogenide irin iyipada pipin (TMD) pẹlu agbekalẹ kemikali ti o ni ọkan molybdenum atom sandwiched laarin 2 sulfur awọn ọta ni a trigonal prismatic amuṣiṣẹpọ, ti n dagba ni iṣọkan S– Mo– S awọn iwe.
Awọn monolayers ikọkọ wọnyi ti wa ni tolera si oke ati isalẹ ati dimu pẹlu ara wọn nipasẹ awọn igara van der Waals alailagbara, n mu rirẹ-irẹ-aarin ti o rọrun ati exfoliation si atomically tẹẹrẹ onisẹpo meji (2D) kirisita– ẹya ipilẹ akọkọ si awọn ipa iṣẹ-ṣiṣe Oniruuru rẹ.
MoS meji wa ni ọpọlọpọ awọn iru polymorphic, ni aabo thermodynamic julọ julọ ni ipele 2H semiconducting (iwọntunwọnsi hexagonal), ibi ti kọọkan Layer fihan kan ni gígùn bandgap ti ~ 1.8 eV ni oriṣi monolayer ti o yipada si bandgap aiṣe-taara (~ 1.3 eV) ni olopobobo, aibalẹ pataki fun awọn ohun elo optoelectronic.
Ti a ba tun wo lo, awọn metastable 1T alakoso (ipin tetragonal) gba amuṣiṣẹpọ octahedral octahedral ati huwa bi adari irin nitori itọrẹ elekitironi lati awọn ọta imi-ọjọ imi-ọjọ., muu awọn ohun elo ni electrocatalysis ati conductive apapo.
Awọn iyipada ipele laarin 2H ati 1T le fa ni kemikali, electrochemically, tabi nipasẹ apẹrẹ wahala, n pese eto ti o le ṣatunṣe fun ṣiṣẹda awọn ẹrọ iṣẹ-ọpọlọpọ.
Agbara lati ṣe atilẹyin ati apẹrẹ awọn ipele wọnyi ni aye laarin flake solitary ṣii awọn ipa ọna fun awọn ile-iṣẹ heterostructures inu-ọkọ ofurufu pẹlu awọn ibugbe itanna ọtọtọ.
1.2 Awọn abawọn, Doping, ati Apa States
Iṣiṣẹ ti MoS meji ni katalitiki ati awọn ohun elo oni-nọmba jẹ itara pupọ si awọn ọran iwọn-atomu ati awọn dopants.
Awọn abawọn aaye atorunwa gẹgẹbi awọn iṣẹ sulfur ṣiṣẹ bi awọn oluranlọwọ elekitironi, igbega n-type conductivity ati sise bi awọn oju opo wẹẹbu ti nṣiṣe lọwọ fun awọn idahun idagbasoke hydrogen (RẸ) ni omi pipin.
Awọn aala ọkà ati awọn iṣoro laini le ṣe idiwọ gbigbe iye owo tabi ṣe agbekalẹ awọn ipa ọna adaṣe agbegbe, da lori eto atomiki wọn.
Doping ti a ṣe ilana pẹlu awọn irin iyipada (f.eks., Tun, Nb) tabi chacogens (f.eks., Se) kí itanran-yiyi ti awọn iye iye, ifọkansi olupese iṣẹ, ati omo ere-yipo esi.
Ni pataki, awọn egbegbe ti MoS meji nanosheets, pataki irin Mo-pari (10– 10) awọn ẹgbẹ, ṣe afihan iṣẹ ṣiṣe katalitiki ti o ga pupọ ju ọkọ ofurufu basali inert lọ, iwuri awọn ifilelẹ ti awọn nanostructured awakọ pẹlu lilo ti o dara ju eti ifihan taara.
( Molybdenum Disulfide)
Awọn ọna ṣiṣe-ṣiṣe abawọn wọnyi jẹ apẹẹrẹ ni deede bi ifọwọyi-ipele atomiki ṣe le yi nkan ti o wa ni erupe ile ti o nwaye nipa ti ara si ọja to wulo ti o ga julọ..
2. Iṣagbepọ ati Awọn ilana Nanofabrication
2.1 Olopobobo ati Tinrin-Filim Awọn ilana iṣelọpọ
Molybdenite adayeba, iru nkan ti o wa ni erupe ile ti MoS ₂, ti lo fun awọn ọdun bi lubricant to lagbara, sibẹsibẹ igbalode-ọjọ ohun elo beere ga-mimọ, ti igbekale dari Oríkĕ fọọmu.
Iṣagbejade oru kemikali (CVD) jẹ ilana ti o ga julọ fun ṣiṣẹda agbegbe nla, monolayer giga-crystallinity ati awọn fiimu MoS ₂ Layer diẹ lori awọn sobusitireti bii SiO TWO/ Si, oniyebiye, tabi rọ polima.
Ninu CVD, molybdenum ati imi-ọjọ ṣaaju (f.eks., MoO mẹrin ati S lulú) ti wa ni evaporated ni awọn ooru (700– 1000 ° C )ni Iṣakoso bugbamu, ṣiṣe awọn ti o ṣee ṣe fun Layer-nipasẹ-Layer idagbasoke pẹlu tunable domain iwọn ati ki o iṣalaye.
Peeling ẹrọ (“scotch teepu ona”) duro a bošewa fun iwadi-ite apeere, ti o npese olekenka-mimọ monolayers pẹlu ala awọn abawọn, bi o tilẹ jẹ pe ko ni scalability.
Liquid-ipele peeling, pẹlu sonication tabi rirẹ-rẹ dapọ ti olopobobo kirisita ni olomi tabi surfactant àbínibí, ṣe agbejade awọn pipinka colloidal ti awọn nanosheets-Layer diẹ ti o dara fun awọn ipele, agbo, ati inki formulations.
2.2 Heterostructure Assimilation ati Irinṣẹ Pattering
O ṣeeṣe gidi ti MoS ₂ dide nigbati o ba dapọ taara si inaro tabi awọn ẹya heterostructures ẹgbẹ pẹlu awọn ohun elo 2D miiran bii graphene, boron nitride hexagonal (h-BN), tabi WSe meji.
Awọn ẹya heterostructures van der Waals wọnyi jẹ ki o ṣee ṣe fun apẹrẹ awọn ohun elo to peye atomiki, ti o ni awọn transistors tunneling, fotodetectors, ati ina-emitting diodes (Awọn LED), nibiti idiyele interlayer ati gbigbe agbara le ti ṣe.
Ilana lithographic ati awọn ọna etching jẹ ki iṣelọpọ awọn nanoribbons ṣiṣẹ, kuatomu aami, ati awọn transistors ipa aaye (Awọn FET) pẹlu awọn ipari nẹtiwọki si isalẹ si mewa ti nanometers.
Dielectric encapsulation pẹlu h-BN ṣe aabo MoS ₂ lati iparun ilolupo ati dinku pipinka idiyele, Ilọsiwaju ilọsiwaju ti olupese ati iduroṣinṣin ohun elo.
Awọn aṣeyọri iṣelọpọ wọnyi jẹ pataki fun iyipada MoS ₂ lati anfani lab si apakan ti o ṣeeṣe ni awọn nanoelectronics ti iran ti nbọ.
3. Awọn abuda iṣẹ-ṣiṣe ati Awọn ilana Ti ara
3.1 Awọn isesi Tribological ati Lubrication Ri to
Lara awọn ohun elo Atijọ julọ ati awọn ohun elo pipe julọ ti MoS meji jẹ bi lube gbigbẹ ti o gbẹ ni awọn agbegbe ti o ga julọ nibiti awọn epo olomi kuna– gẹgẹ bi awọn igbale regede, awọn iwọn otutu ti o ga, tabi awọn iṣoro cryogenic.
Agbara irẹrẹ interlayer ti o dinku ti aaye van der Waals n jẹ ki sisun rọrọ laarin S– Mo– S fẹlẹfẹlẹ, nfa olùsọdipúpọ ti fifi pa bi dinku bi 0.03– 0.06 labẹ awọn ipo to dara julọ.
Išẹ rẹ ti ni ilọsiwaju siwaju sii nipasẹ ifaramọ to lagbara si awọn oju irin ati resistance si ifoyina soke si ~ 350 ° C ni afẹfẹ, kọja eyi ti MoO ₃ didasilẹ pọ si yiya.
MoS ₂ jẹ lilo igbagbogbo ni awọn eto aerospace, igbale bẹtiroli, ati ohun ija awọn ẹya ara, ojo melo lo bi ibora nipasẹ sisun, sputtering, tabi isokan akojọpọ sinu awọn matiriki polima.
Awọn iwadii lọwọlọwọ fihan pe ọrinrin le dinku lubricity nipasẹ igbelaruge ifaramọ interlayer, iwuri iwadi ọtun sinu hydrophobic fẹlẹfẹlẹ tabi crossbreed lubricating oludoti fun dara ayika aabo.
3.2 Digital ati Optoelectronic Reaction
Gẹgẹbi semikondokito aafo taara ni fọọmu monolayer, MoS ₂ ṣe afihan ibaraẹnisọrọ ọrọ-ina to lagbara, pẹlu awọn iyeida gbigba ti o pọju 10 ⁵ centimeters ⁻¹ ati ikore kuatomu giga ni fọtoluminescence.
Eyi jẹ ki o tayọ fun awọn aṣawari fọto ultrathin pẹlu awọn akoko ifasẹyin iyara ati ifamọ igbohunsafefe, lati han si isunmọ-infurarẹẹdi wefulenti.
Awọn transistors ipa aaye ti o da lori monolayer MoS meji ṣe afihan titan/pa awọn iwọn> 10 mẹjọ ati olupese iṣẹ flexibilities to 500 centimeters ²/V · s ninu awọn ayẹwo ti daduro, Botilẹjẹpe awọn ibaraẹnisọrọ sobusitireti ṣe opin awọn iye to wulo si 1– 20 cm MEJI/ V · s.
Spin-afonifoji apapọ, a sodi ti ri to omo ere-yipo ibaraenisepo ati busted inversion o yẹ, mu ki o ṣee ṣe fun valleytronics– Idiwọn alailẹgbẹ fun alaye alaye ṣiṣe lilo iwọn afonifoji ti ominira ni yara agbara.
Awọn ifarabalẹ kuatomu wọnyi ipo MoS ₂ bi oludije fun ọgbọn agbara kekere, iranti, ati awọn eroja kọnputa kuatomu.
4. Awọn ohun elo ni Agbara, Catalysis, ati Arising Technologies
4.1 Electrocatalysis fun Idahun Ilọsiwaju Hydrogen (RẸ)
MoS meji ti di yiyan iyanilẹnu ti kii ṣe iyebiye si Pilatnomu ni esi ilọsiwaju hydrogen (RẸ), ilana ti o ṣe pataki ni itanna omi fun iṣelọpọ hydrogen ore-ayika.
Nigba ti awọn ipilẹ ofurufu ti wa ni catalytically inert, Awọn aaye eti ati awọn iṣẹ imi-ọjọ ṣe afihan adsorption hydrogen ti o dara julọ ni agbara ọfẹ patapata (ΔG_H * ≈ 0), afiwera si Pt.
Nanostructuring awọn ọna– gẹgẹbi ṣiṣẹda awọn nanosheets titọ ni inaro, abawọn-ọlọrọ fiimu, tabi awọn arabara doped pẹlu Ni tabi Co– ya ni kikun anfani ti nṣiṣe lọwọ ojula sisanra ati itanna elekitiriki.
Nigbati a ba dapọ si awọn amọna pẹlu awọn imuduro adaṣe bi erogba nanotubes tabi graphene, MoS meji de ni sisanra lọwọlọwọ giga ati aabo to duro labẹ ekikan tabi awọn ipo didoju.
Imudara diẹ sii ni a ṣe nipasẹ mimu ipele irin 1T duro, eyiti o ṣe alekun ifarakanra inu inu ati ṣafihan awọn aaye ti nṣiṣe lọwọ afikun.
4.2 Adapable Electronics, Awọn sensọ, ati Awọn ẹrọ kuatomu
The darí versatility, ìmọ, ati iwọn-giga-si-iwọn iwọn ti MoS meji jẹ ki o jẹ apẹrẹ fun awọn ẹrọ itanna ti o rọ ati aṣọ.
Awọn transistors, kannaa iyika, ati awọn ohun elo iranti ti ṣe afihan lori awọn substratums ṣiṣu, muu bendable àpapọ iboju, ilera han, ati awọn sensọ IoT.
Awọn sensọ gaasi ti o da lori MoS ₂ ṣe afihan ifamọ giga si KO ₂, NH KẸTA, ati H MEJI O nitori gbigbe owo lori adsorption molikula, pẹlu awọn akoko esi ni ipin-keji orisirisi.
Ni iye awọn imọ-ẹrọ igbalode, MoS ₂ gbalejo awọn excitons agbegbe ati awọn trions ni awọn ipele iwọn otutu cryogenic, ati awọn agbegbe pseudomagnetic ti o fa igara le dẹkun awọn olupese iṣẹ, gbigba awọn emitters-fọto nikan ati awọn aami kuatomu.
Awọn idagba wọnyi ṣe afihan MoS meji kii ṣe bi ohun elo ti o wulo sibẹsibẹ bi eto kan fun ṣawari awọn fisiksi pataki ni awọn iwọn ti o dinku..
Ni atunṣe, molybdenum disulfide jẹ apẹẹrẹ iṣakojọpọ ti awọn ọja kilasika iwadi ijinle sayensi ati apẹrẹ kuatomu.
Lati ipa atijọ rẹ bi nkan lubricating si imuṣiṣẹ ode oni ni awọn ẹrọ itanna tinrin atomiki ati awọn eto agbara, MoS meji tẹsiwaju lati tun ṣe awọn aala ti ohun ti o ṣee ṣe ni apẹrẹ awọn ohun elo nanoscale.
Bi kolaginni, ifarapa, ati idagbasoke awọn ọna assimilation, Ipa rẹ jakejado iwadii imọ-jinlẹ ati imọ-ẹrọ igbalode wa ni ipo lati faagun paapaa siwaju.
5. Olupinpin
TRUNNANO jẹ olupilẹṣẹ Molybdenum Disulfide ti a mọ ni kariaye ati olupese ti awọn agbo ogun pẹlu diẹ sii ju 12 ọdun ti ĭrìrĭ ni ga didara nanomaterials ati awọn miiran kemikali. Ile-iṣẹ n ṣe agbekalẹ ọpọlọpọ awọn ohun elo lulú ati awọn kemikali. Pese OEM iṣẹ. Ti o ba nilo Molybdenum Disulfide ti o ga julọ, jọwọ lero free lati kan si wa. O le tẹ ọja naa lati kan si wa.
Awọn afi: Molybdenum Disulfide, nano molybdenum disulfide, MoS2
Gbogbo awọn nkan ati awọn aworan wa lati Intanẹẹti. Ti o ba wa eyikeyi awọn ọran aṣẹ lori ara, jọwọ kan si wa ni akoko lati parẹ.
Beere wa