1. Сплавленный кварцын составше да структурный свойствыжо
1.1 Аморфный сеть да шокшо пеҥгыдылык
(Кварц тигель-влак)
Кварц тигель-влак — тиде кӱкшӧ температур дене ыштыме контейнер-влак, нуным интегрироватлыме кремний гыч ыштыме, кремний диоксидын искусственный формыжо (SiO ₂) пӱртӱс кварц кристалл-влакын температур кӱкшытыштӧ утларак шӧртньӧ деч лекше 1700 ° C.
Кристалл кварц деч ойыртемалтше, интегрироватлыме кремний аморфный кум мер сеть дене угловой пайлаш SiO ₄ тетраэдр уло, кудо писын температур тӧрлымӧ годым ойыртемалтше теплоударный торешланымашым да габаритный лӱдыкшыдымылыкым ончыкта.
Тиде радамдыме атом кышкарыште кристаллографический плоскостьлаште ӱпым арала, поликристаллический фарфор дене таҥастарымаште, тепловой велосипед дене коштмо годым интегрироватлыме кремнийым шеледымашлан шагалрак лӱдыкшыдымӧ ыштен.
Продукт шокшо вияҥме изи коэффициентым ончыкта (~ 0.5 × 10 ⁻6/ К), инженер материал кокла гыч ик эн изи, тудо неле тепловой склон-влакым ломаш деч посна чыташ йӧным пуа– a vital building in semiconductor and solar cell manufacturing.
Integrated silica additionally keeps exceptional chemical inertness against most acids, liquified steels, and slags, although it can be slowly engraved by hydrofluoric acid and hot phosphoric acid.
Its high softening point (~ 1600– 1730 ° C, depending upon purity and OH material) allows continual operation at raised temperatures needed for crystal development and steel refining processes.
1.2 Pureness Grading and Micronutrient Control
The efficiency of quartz crucibles is highly based on chemical pureness, especially the focus of metal pollutants such as iron, натрий, калий, куштылго нелытан алюминий, and titanium.
Also trace amounts (components per million level) of these impurities can move into molten silicon during crystal development, deteriorating the electrical buildings of the resulting semiconductor material.
High-purity qualities utilized in electronic devices producing commonly consist of over 99.95% SiO ₂, with alkali steel oxides restricted to much less than 10 ppm and transition metals below 1 ppm.
Pollutants stem from raw quartz feedstock or handling tools and are lessened through mindful option of mineral sources and purification methods like acid leaching and flotation protection.
Ешартыш, the hydroxyl (НЕРГЕН) web content in fused silica impacts its thermomechanical actions; high-OH kinds provide better UV transmission but lower thermal stability, while low-OH versions are preferred for high-temperature applications due to minimized bubble development.
( Кварц тигель-влак)
2. Production Process and Microstructural Design
2.1 Electrofusion and Forming Strategies
Кварц тигель-влак тӱҥ шотышто электрофьюжн гоч ышталтыт, процесс, кушто кӱкшӧ арулыкан кварц порошокым электричестве дуговой обогревательыште савырныше графит формыш да лышташыш пуртат.
Углерод электрод коклаште ыштыме электричестве дуга кварц бит-влакым йӱлалта, кудыжо лончо гыч лончо пеҥгыдемден, бесшовный ышташ манын, тыгыде тигель формо.
Тиде технике дене мелкозернистый, икгай микроструктура, эн изи пузырьков да стрия дене, шокшо циркуляцийлан да механике пеҥгыдылыклан кӱлешан.
Тӱрлӧ йӧн, кузе тыгай плазман синтез да тул синтез, специализироватлыме приложенийлан кучылталтеш, кӱлеш ультра-низкозагрязнение але деталь пырдыж плотность профиль.
Кастинг деч вара, тигель-влак контролируемый йӱкшыктарен эртат (отжиг) кӧргӧ напряженийым кораҥдаш да раствор годым шке гыч пудыргымым чарнаш.
Ӱмбалым пытарымаш, consisting of grinding and brightening, ensures dimensional accuracy and lowers nucleation sites for unwanted crystallization throughout use.
2.2 Crystalline Layer Engineering and Opacity Control
A defining feature of contemporary quartz crucibles, particularly those used in directional solidification of multicrystalline silicon, is the crafted inner layer framework.
Throughout manufacturing, the internal surface area is often dealt with to advertise the development of a thin, controlled layer of cristobalite– a high-temperature polymorph of SiO TWO– upon initial home heating.
This cristobalite layer acts as a diffusion obstacle, reducing straight interaction in between molten silicon and the underlying integrated silica, thus lessening oxygen and metal contamination.
Тулечат утла, the visibility of this crystalline phase enhances opacity, инфракрасный волгыдым поглощенийым кугемдаш да рекламе эше утларак келшен толшо температур циркуляция кӧргыштӧ оттепель.
Тигельым ыштыше-влак тиде лончын кӱжгытшым да ушымашыжым тичмашын пеҥгыдемдат, тыге этап куснымо годым кугыт вашталтмылан кӧра шеледымаш але шеледымаш деч аралаш.
3. Кӱкшӧ температур годым практический пайдалык
3.1 Кремний кристаллым ыштыме процесслаште порысым шукташ
Кварц тигель-влак монокристаллический да мультикристаллический кремнийым ыштен лукмаште кӱлешан улыт, Чохральскийыште сжиженный кремнийлан тӱҥ контейнер семын пашам ышта (CZ) да направлений пеҥгыдемдыме системе-влак (ДС).
CZ процессыште, урлык кристаллым кварц тигельыште аралыме сжиженный кремнийыш тура шыҥдарат да савырыме годым ӱлыкӧ нӧлтат, ик кристалл слиткым вияҥдаш йӧным пуа.
Although the crucible does not directly speak to the growing crystal, interactions between liquified silicon and SiO ₂ wall surfaces bring about oxygen dissolution into the melt, which can influence service provider lifetime and mechanical strength in ended up wafers.
In DS procedures for photovoltaic-grade silicon, massive quartz crucibles make it possible for the controlled cooling of hundreds of kilograms of liquified silicon into block-shaped ingots.
Тыште, coverings such as silicon nitride (Si five N FOUR) are applied to the inner surface to avoid bond and assist in simple launch of the solidified silicon block after cooling down.
3.2 Destruction Devices and Service Life Limitations
In spite of their toughness, quartz crucibles degrade throughout duplicated high-temperature cycles due to several related devices.
Thick flow or contortion occurs at long term direct exposure over 1400 ° C, causing wall thinning and loss of geometric honesty.
Re-crystallization of fused silica right into cristobalite creates inner stress and anxieties as a result of volume development, possibly causing fractures or spallation that pollute the thaw.
Chemical erosion emerges from decrease responses in between liquified silicon and SiO TWO: SiO КОК + Si → 2SiO(g), generating volatile silicon monoxide that leaves and damages the crucible wall surface.
Bubble development, driven by trapped gases or OH groups, additionally jeopardizes structural stamina and thermal conductivity.
Тиде начаремме корно-влак угыч кучылтмо цикл-влакын тӱрлӧ улмыштым чактарат да тигельын ӱмыржым да арверын лектышыжым оптимизацийым ышташ раш процесс контрольым йодыт.
4. Вияҥмаш да технический келыштарыме
4.1 Покрытий да соединений вашталтыш
Паша лектышым да кужу ӱмыран улмым саемдаш, прогрессировать кварц тигель функциональный леведышым да композитный конструкций-влакым интегрироватлаш.
Кремний негызеш анти-прилипающий лончо да эмлыме кремний пытартыш лукмо функцийым кугемдаш да шӧртньӧ жапыште кислород лукмашым иземдаш.
Южо производитель-влак цирконийым интегрироватлат (ZrO ₂) тигель пырдыж ӱмбаке частице-влакым пурташ, механике пеҥгыдылыкым да девитрификацийлан чытымашым кугемдаш манын.
Шымлымаш умбакыже шуйна, тудо тичмаш яндар але градиент структурированный тигель-влакым вияҥда, нуным у тукым кече шокшо системын планировкыштыжо волгыдо шокшым кусарыме пашам кугемдаш манын ыштыме.
4.2 Ӱшанле да перерабатыватлыме нелылык-влак
Полупроводник да фотоэлектрический промышленность деч кӱлешлыкым кугемдыме дене, кварц тигель-влакым кужу жап кучылтмаш тургыжландара.
Кремний руаш дене лавыртыме кучылтмо тигель-влакым перерабатыватлаш неле, вет нуно ваш-ваш лавыртыме лӱдыкшӧ улыт, кугу шӱкшакым лукмашке конда.
Инициативе-влак перерабатыватлыме тигель леведышым ыштыме шотышто ойыртемалтыт, эрыктен лукмо процедурым, да ешартыш кучылтмашлан кӱкшӧ арулыкан кремнийым пӧртылташ петыртыме цикл дене перерабатыватлыме системе-влак.
Ӱзгар-влакын пайдалыкышт эреак кугурак материал арулыкым йодеш, кварц тигель-влакын порысышт, мутат уке, продукт наукышто да процесс дизайныште ончыко каяш кодеш.
Иктешлен каласаш, кварц тигель-влак ресурс ден кӱкшӧ лектышан электрон продукций коклаште пайдаланышын кӱлешан интерфейсшым ончыктат.
Нунын шкешотан арулык комбинацийышт, шокшо пеҥгыдылык, да структур стиль кремний негызеш ыштыме кызытсе технологийым ышташ йӧным пуа, тудо кызытсе компьютер да уэмдыме энергий системым виктарен шога.
5. Поставщик
Advanced Ceramics октябрьыште негызлалтын 17, 2012, шымлымаш да вияҥмашлан ӱшанле кӱкшӧ технологиян предприятий, производство, обрабатыватлымаш, ужалыме да технический услуго керамике относительный материалым, кузе тыгай алюминий керамике шарик. Мемнан продукцийна пура, но тидын дене гына серлагаш огыл, бор карбид керамике продукций, Бор нитрид керамике продукт-влак, Кремний карбид керамике гыч ыштыме арвер-влак, Кремний нитрид керамике гыч ыштыме арвер-влак, Цирконий диоксид керамике гыч ыштыме арвер-влак, да т. д.. Кумылан улыда гын, пожалуйста, мемнан дене кылым кучаш ида вожыл.([email protected])
Тег-влак: кварц тигель-влак,плавной кварц тигель,кремнийлан кварцевый тигель
Чыла статья ден сӱрет интернет гыч улыт. Авторский права дене кылдалтше йодыш-влак улыт гын, пожалуйста, жапыштыже мемнан дене кылдалтше кораҥдаш.
Мемнан деч йодса