അലുമിനിയം നൈട്രൈഡ് സെറാമിക് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ: സുപ്പീരിയർ തെർമൽ മാനേജ്‌മെൻ്റ് അലുമിനിയം നൈട്രൈഡ് സെറാമിക് വഴി ഹൈ-പവർ ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് പ്രവർത്തനക്ഷമമാക്കുന്നു

1. ഉൽപ്പന്ന ശാസ്ത്രവും ഘടനാപരമായ ഗുണങ്ങളും

1.1 ക്രിസ്റ്റൽ ചട്ടക്കൂടും കെമിക്കൽ സ്ഥിരതയും

(അലുമിനിയം നൈട്രൈഡ് സെറാമിക് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ)

അലുമിനിയം നൈട്രൈഡ് (AlN) ഷഡ്ഭുജാകൃതിയിലുള്ള വുർട്ട്സൈറ്റ് ക്രിസ്റ്റൽ ഘടനയുള്ള വിശാലമായ ബാൻഡ്ഗാപ്പ് അർദ്ധചാലക സെറാമിക് ആണ്, കനംകുറഞ്ഞ അലൂമിനിയത്തിൻ്റെയും നൈട്രജൻ ആറ്റങ്ങളുടെയും ഭ്രമണം ചെയ്യുന്ന പാളികൾ ഖര കോവാലൻ്റ് ഇടപെടലുകളിലൂടെ ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു.

ഈ നീണ്ടുനിൽക്കുന്ന ആറ്റോമിക് സജ്ജീകരണം അസാധാരണമായ താപ സുരക്ഷയോടെ AlN വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നു, വരെ വാസ്തുവിദ്യാ സമഗ്രത നിലനിർത്തുന്നു 2200 നിഷ്ക്രിയ അന്തരീക്ഷത്തിൽ ° C, കഠിനമായ തെർമൽ ബൈക്കിംഗിൽ വിഘടിപ്പിക്കൽ പ്രതിരോധം.

അലുമിന പോലെയല്ല (അൽ ടു ഒ ത്രീ), സ്റ്റീലുകളും നിരവധി പ്രതികരിക്കുന്ന വാതകങ്ങളും ഉരുകാൻ AlN രാസപരമായി നിഷ്ക്രിയമാണ്, അർദ്ധചാലക പ്രോസസ്സിംഗ് ചേമ്പറുകൾ, ഉയർന്ന താപനിലയുള്ള ഹീറ്ററുകൾ എന്നിവ പോലുള്ള കഠിനമായ അന്തരീക്ഷത്തിന് ഇത് അനുയോജ്യമാക്കുന്നു.

ഓക്സീകരണത്തോടുള്ള ഉയർന്ന പ്രതിരോധം– വായുവിലേക്ക് നേരിട്ട് എക്സ്പോഷർ ചെയ്യുമ്പോൾ ഉപരിതല വിസ്തീർണ്ണത്തിൽ അൽ ₂ O നാല് പാളികൾ മാത്രം വികസിപ്പിച്ചെടുക്കുന്നു– ബൾക്ക് വീടുകളുടെ കാര്യമായ തകർച്ച കൂടാതെ നിലനിൽക്കുന്ന വിശ്വാസ്യത ഉറപ്പ് നൽകുന്നു.

കൂടാതെ, ആൽഎൻ അതിശക്തമായ വൈദ്യുത ഇൻസുലേഷൻ കാണിക്കുന്നു 10 ¹⁴ Ω · സെൻ്റിമീറ്ററും മുകളിൽ ഒരു വൈദ്യുത കാഠിന്യവും 30 kV/mm, ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക് പ്രധാനമാണ്.

1.2 താപ ചാലകതയും ഇലക്ട്രോണിക് സവിശേഷതകളും

അലൂമിനിയം നൈട്രൈഡിൻ്റെ ഏറ്റവും മികച്ച സവിശേഷതകളിലൊന്ന് അതിൻ്റെ ഉയർന്ന താപ ചാലകതയാണ്., സാധാരണയായി വ്യത്യാസപ്പെടുന്നു 140 വരെ 180 W/(m · കെ )വാണിജ്യ-ഗ്രേഡ് സബ്സ്ട്രാറ്റങ്ങൾക്കായി– കഴിഞ്ഞു 5 അലുമിനയേക്കാൾ ഇരട്ടി (≈ 30 W/(m · കെ)).

നൈട്രജൻ, അലുമിനിയം എന്നിവയുടെ കുറഞ്ഞ ആറ്റോമിക് പിണ്ഡത്തിൽ നിന്നാണ് ഈ കാര്യക്ഷമത ഉണ്ടാകുന്നത്, ശക്തമായ ബോണ്ടിംഗ്, മാർജിനൽ ഫാക്ടർ പ്രശ്നങ്ങൾ എന്നിവയുമായി സംയോജിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു, ഇത് ലാറ്റിസ് വർക്കിലൂടെ കാര്യക്ഷമമായ ഫോണോൺ ഗതാഗതം അനുവദിക്കുന്നു.

എന്നിരുന്നാലും, ഓക്സിജൻ മാലിന്യങ്ങൾ പ്രത്യേകിച്ച് ദോഷകരമാണ്; അളവുകളും കണ്ടെത്തുക (മുകളിൽ 100 പിപിഎം) നൈട്രജൻ സൈറ്റുകൾക്ക് പകരമായി, ഭാരം കുറഞ്ഞ അലുമിനിയം തുറസ്സുകൾ ഉത്പാദിപ്പിക്കുകയും ഫോണോണുകൾ പ്രചരിപ്പിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു, അതുവഴി താപ ചാലകത നാടകീയമായി കുറയ്ക്കുന്നു.

കാർബോതെർമൽ കുറയ്ക്കൽ അല്ലെങ്കിൽ നേരിട്ടുള്ള നൈട്രൈഡേഷൻ വഴി സമന്വയിപ്പിച്ച ഉയർന്ന ശുദ്ധിയുള്ള AlN പൊടികൾ അനുയോജ്യമായ ഊഷ്മള വിസർജ്ജനം നേടുന്നതിന് ആവശ്യമാണ്..

ഒരു ഇലക്ട്രിക്കൽ ഇൻസുലേറ്റർ എന്നത് പരിഗണിക്കാതെ തന്നെ, AlN-ൻ്റെ പീസോ ഇലക്ട്രിക്, പൈറോ ഇലക്ട്രിക് പ്രോപ്പർട്ടികൾ സെൻസിംഗ് യൂണിറ്റുകളിലും അക്കോസ്റ്റിക് വേവ് ടൂളുകളിലും ഇതിനെ പ്രയോജനപ്രദമാക്കുന്നു., അതേസമയം അതിൻ്റെ വിശാലമായ ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ് (~ 6.2 ഇ.വി) ഉയർന്ന പവർ, ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി ഇലക്ട്രോണിക് സിസ്റ്റങ്ങളിൽ നടപടിക്രമങ്ങൾ നിലനിർത്തുന്നു.

2. നിർമ്മാണ നടപടിക്രമങ്ങളും ഉൽപാദന ബുദ്ധിമുട്ടുകളും

( അലുമിനിയം നൈട്രൈഡ് സെറാമിക് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ)

2.1 പൊടി സിന്തസിസും സിൻ്ററിംഗ് ടെക്നിക്കുകളും

ഉയർന്ന പ്രവർത്തനക്ഷമതയുള്ള AlN സബ്‌സ്‌ട്രാറ്റമുകൾ നിർമ്മിക്കുന്നത് അൾട്രാ-ഫൈനിൻ്റെ സമന്വയത്തോടെ ആരംഭിക്കുന്നു., ഉയർന്ന ശുദ്ധിയുള്ള പൊടി, Al ₂ O SIX പോലെയുള്ള പ്രതികരണങ്ങളിലൂടെയാണ് പൊതുവെ നിർവ്വഹിക്കുന്നത് + 3സി + N TWO → 2AlN + 3CO (കാർബോതെർമൽ റിഡക്ഷൻ) അല്ലെങ്കിൽ ലൈറ്റ് വെയ്റ്റ് അലുമിനിയം സ്റ്റീലിൻ്റെ നേരായ നൈട്രിഡേഷൻ: 2അൽ + N TWO → 2AlN.

തത്ഫലമായുണ്ടാകുന്ന പൊടി വളരെ ശ്രദ്ധാപൂർവ്വം ഗ്രേറ്റ് ചെയ്യുകയും Y TWO O FIVE പോലുള്ള സിൻ്ററിംഗ് സഹായത്തോടെ ഡോപ്പ് ചെയ്യുകയും വേണം, CaO, അല്ലെങ്കിൽ അപൂർവ ഗ്രഹ ഓക്സൈഡുകൾ തമ്മിലുള്ള താപനിലയിൽ സാന്ദ്രത പ്രോത്സാഹിപ്പിക്കുന്നതിന് 1700 ° C ഒപ്പം 1900 നൈട്രജൻ അന്തരീക്ഷത്തിൽ ° C.

ഈ ചേരുവകൾ ധാന്യത്തിൻ്റെ അതിർത്തി വ്യാപനം വർദ്ധിപ്പിക്കുന്ന ഹ്രസ്വകാല ദ്രാവക ഘട്ടങ്ങൾ സൃഷ്ടിക്കുന്നു, പൂർണ്ണ സാന്ദ്രത സാധ്യമാക്കുന്നു (> 99% സൈദ്ധാന്തിക കനം) ഓക്സിജൻ മലിനീകരണം കുറയ്ക്കുമ്പോൾ.

കാർബൺ സമ്പന്നമായ പരിതസ്ഥിതികളിൽ പോസ്റ്റ്-സിൻ്ററിംഗ് അനീലിംഗ് ഇൻ്റർഗ്രാനുലാർ ഓക്സൈഡുകൾ ഒഴിവാക്കിക്കൊണ്ട് ഓക്സിജൻ വെബ് ഉള്ളടക്കം മികച്ച രീതിയിൽ കുറയ്ക്കാൻ കഴിയും, തത്ഫലമായി പീക്ക് താപ ചാലകത വീണ്ടെടുക്കുന്നു.

മെക്കാനിക്കൽ കാഠിന്യം സന്തുലിതമാക്കുന്നതിന് നിയന്ത്രിത ധാന്യ അളവിലുള്ള സ്ഥിരമായ സൂക്ഷ്മഘടന കൈവരിക്കുന്നത് നിർണായകമാണ്, താപ ദക്ഷത, ഉൽപ്പാദനക്ഷമതയും.

2.2 സബ്സ്ട്രാറ്റം രൂപീകരണവും മെറ്റലൈസേഷനും

സിൻ്റർ ചെയ്യുമ്പോൾ, AlN സെറാമിക്സ് കൃത്യമായ നിലയിലുള്ളതും ഇലക്ട്രോണിക് ഉൽപ്പന്ന പാക്കേജിംഗിന് ആവശ്യമായ പരിമിതമായ ഡൈമൻഷണൽ ടോളറൻസുകൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി സ്പ്ലാഷ് ചെയ്തതുമാണ്., പലപ്പോഴും മൈക്രോമീറ്റർ തലത്തിലുള്ള ഏകതാനതയിലേക്ക്.

ദ്വാരത്തിലൂടെ വിരസത, ലേസർ കട്ടിംഗ്, കൂടാതെ ഉപരിതല പാറ്റേൺ മൾട്ടി ലെയർ പ്ലാനുകളിലേക്കും ക്രോസ് ബ്രീഡ് സർക്യൂട്ടുകളിലേക്കും സ്വാംശീകരണം സാധ്യമാക്കുന്നു.

അടിവസ്ത്ര നിർമ്മാണത്തിലെ ഒരു സുപ്രധാന ഘട്ടം മെറ്റലൈസേഷനാണ്– ചാലക പാളികളുടെ പ്രയോഗം (സാധാരണയായി ടങ്സ്റ്റൺ, മോളിബ്ഡിനം, അല്ലെങ്കിൽ ചെമ്പ്) കട്ടിയുള്ള ഫിലിം പ്രിൻ്റിംഗ് പോലുള്ള പ്രക്രിയകൾ വഴി, നേർത്ത-ഫിലിം സ്പുട്ടറിംഗ്, അല്ലെങ്കിൽ ചെമ്പിൻ്റെ നേരിട്ടുള്ള ബന്ധനം (ഡിബിസി).

ഡിബിസിക്ക് വേണ്ടി, നിയന്ത്രിത പരിതസ്ഥിതിയിൽ ഉയർന്ന താപനിലയിൽ ചെമ്പ് അലുമിനിയം ഫോയിലുകൾ AlN പ്രതലങ്ങളുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു., ഉയർന്ന നിലവിലെ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക് അനുയോജ്യമായ ഒരു ശക്തമായ ഉപയോക്തൃ ഇൻ്റർഫേസ് സൃഷ്ടിക്കുന്നു.

സജീവമായ സ്റ്റീൽ ബ്രേസിംഗ് പോലെയുള്ള വ്യത്യസ്ത സാങ്കേതിക വിദ്യകൾ (കൂടെ) ബീജസങ്കലനവും താപ ക്ഷീണ പ്രതിരോധവും വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിന് ടൈറ്റാനിയം അടങ്ങിയ സോൾഡറുകൾ ഉപയോഗിക്കുക, പ്രത്യേകിച്ച് ആവർത്തിച്ചുള്ള പവർ സൈക്ലിംഗിൽ.

ശരിയായ ഇൻ്റർഫേഷ്യൽ ഡിസൈൻ, ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ഉപകരണങ്ങളിൽ ചില കുറഞ്ഞ താപ പ്രതിരോധവും ഉയർന്ന മെക്കാനിക്കൽ വിശ്വാസ്യതയും ഉണ്ടാക്കുന്നു.

3. ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണത്തിലെ പ്രകടന നേട്ടങ്ങൾ

3.1 പവർ ഇലക്ട്രോണിക്സിൽ തെർമൽ അഡ്മിനിസ്ട്രേഷൻ

ഐജിബിടികൾ പോലുള്ള ഹൈ-പവർ അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങൾ സൃഷ്ടിച്ച താപം കൈകാര്യം ചെയ്യുന്നതിൽ അൽഎൻ സബ്‌സ്‌ട്രാറ്റംസ് മാസ്റ്റർ, MOSFET-കൾ, ഇലക്ട്രിക്കൽ ഓട്ടോമൊബൈലുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന RF ആംപ്ലിഫയറുകളും, പുതുക്കാവുന്ന റിസോഴ്സ് ഇൻവെർട്ടറുകൾ, ടെലികോം ചട്ടക്കൂടും.

വിശ്വസനീയമായ ചൂട് വേർതിരിച്ചെടുക്കൽ പ്രാദേശിക ഹോട്ട്സ്പോട്ടുകൾ ഒഴിവാക്കുന്നു, താപ ഉത്കണ്ഠ കുറയ്ക്കുന്നു, ഇലക്‌ട്രോമിഗ്രേഷൻ, ഡിലാമിനേഷൻ ഭീഷണികൾ എന്നിവ ലഘൂകരിക്കുന്നതിലൂടെ ടൂൾ ആയുസ്സ് വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നു.

പരമ്പരാഗത Al ₂ O ₃ അടിവസ്ത്രങ്ങളുമായി താരതമ്യം ചെയ്യുമ്പോൾ, AlN അതിൻ്റെ പ്രീമിയം താപ ചാലകത കാരണം ചെറിയ ബണ്ടിൽ വലുപ്പവും ഉയർന്ന പവർ കനവും സാധ്യമാക്കുന്നു, സമഗ്രതയിൽ വിട്ടുവീഴ്ച ചെയ്യാതെ പ്രകടന അതിരുകൾ അമർത്താൻ ഡവലപ്പർമാരെ അനുവദിക്കുന്നു.

LED ലൈറ്റിംഗിലും ലേസർ ഡയോഡുകളിലും, ജംഗ്ഷൻ താപനില ഫലപ്രാപ്തിയെയും നിഴൽ സ്ഥിരതയെയും നേരിട്ട് സ്വാധീനിക്കുന്നു, AlN സബ്‌സ്‌ട്രാറ്റങ്ങൾ തിളക്കമുള്ള ഫലവും പ്രവർത്തനപരമായ ആയുർദൈർഘ്യവും ഗണ്യമായി മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു.

താപ വളർച്ചയുടെ അതിൻ്റെ ഗുണകം (CTE ≈ 4.5 പിപിഎം/കെ) കൂടാതെ സിലിക്കണുമായി വളരെ അടുത്ത് പൊരുത്തപ്പെടുന്നു (3.5– 4 പിപിഎം/കെ) ഗാലിയം നൈട്രൈഡും (GaN, ~ 5.6 പിപിഎം/കെ), തെർമൽ ബൈക്കിംഗ് സമയത്ത് തെർമോ മെക്കാനിക്കൽ ടെൻഷൻ കുറയുന്നു.

3.2 ഇലക്ട്രിക്കൽ, മെക്കാനിക്കൽ വിശ്വാസ്യത

കഴിഞ്ഞ താപ പ്രകടനം, AlN കുറഞ്ഞ വൈദ്യുത നഷ്ടം ഉപയോഗിക്കുന്നു (ടാൻ δ < 0.0005) and steady permittivity (εᵣ ≈ 8.9) throughout a broad regularity variety, making it perfect for high-frequency microwave and millimeter-wave circuits.

അതിൻ്റെ ഹെർമെറ്റിക് സ്വഭാവം ഈർപ്പം ഉള്ളിൽ നിന്ന് സംരക്ഷിക്കുന്നു, ഈർപ്പമുള്ള ക്രമീകരണങ്ങളിൽ അപചയ സാധ്യതകൾ നീക്കം ചെയ്യുന്നു– ഓർഗാനിക് അടിവസ്ത്രങ്ങളേക്കാൾ ഒരു പ്രധാന നേട്ടം.

യാന്ത്രികമായി, AlN-ന് ഉയർന്ന വഴക്കമുള്ള കാഠിന്യം ഉണ്ട് (300– 400 എംപിഎ) ദൃഢതയും (HV ≈ 1200), കൈകാര്യം ചെയ്യലിലുടനീളം പ്രതിരോധശേഷി ഉറപ്പാക്കുന്നു, അസംബ്ലി, ഫീൽഡ് നടപടിക്രമവും.

ഈ സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ സംയുക്തമായി മെച്ചപ്പെട്ട സിസ്റ്റം സമഗ്രതയ്ക്ക് സംഭാവന നൽകുന്നു, പരാജയ നിരക്ക് കുറച്ചു, മിഷൻ-ക്രിട്ടിക്കൽ ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ കൈവശം വയ്ക്കുന്നതിനുള്ള കുറഞ്ഞ മൊത്തം ചെലവും.

4. ആപ്ലിക്കേഷനുകളും ഭാവി സാങ്കേതിക അതിർത്തികളും

4.1 വ്യാവസായിക, ഓട്ടോമോട്ടീവ്, സംരക്ഷണ സംവിധാനങ്ങളും

വാണിജ്യ മോട്ടോർ ഡ്രൈവുകൾക്കുള്ള വിപുലമായ പവർ മൊഡ്യൂളുകളിൽ AlN സെറാമിക് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ നിലവിൽ പരമ്പരാഗതമാണ്, കാറ്റും സോളാർ ഇൻവെർട്ടറുകളും, ഇലക്ട്രിക്, ഹൈബ്രിഡ് ഓട്ടോമൊബൈലുകളിലെ ഓൺബോർഡ് ബാറ്ററി ചാർജറുകളും.

എയ്‌റോസ്‌പേസിലും പ്രതിരോധത്തിലും, അവ റഡാർ സംവിധാനങ്ങളെ നിലനിർത്തുന്നു, ഡിജിറ്റൽ യുദ്ധ ഉപകരണങ്ങൾ, ഉപഗ്രഹ ഇടപെടലുകളും, അങ്ങേയറ്റത്തെ പ്രശ്‌നങ്ങൾക്കിടയിലുള്ള പ്രകടനം ചർച്ച ചെയ്യാനാകില്ല.

ക്ലിനിക്കൽ ഇമേജിംഗ് ഉപകരണങ്ങൾ, എക്സ്-റേ ജനറേറ്ററുകളും എംആർഐ സംവിധാനങ്ങളും ഉൾക്കൊള്ളുന്നു, AlN-ൻ്റെ റേഡിയേഷൻ പ്രതിരോധം, സിഗ്നൽ സമഗ്രത എന്നിവയിൽ നിന്നും നേട്ടം.

ഗതാഗത-ഊർജ്ജ മേഖലകളിൽ ഉടനീളം വൈദ്യുതീകരണം മങ്ങുന്നു, AlN സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകളുടെ ആവശ്യം വർദ്ധിച്ചുകൊണ്ടിരിക്കുന്നു, ഒതുക്കത്തിൻ്റെ ആവശ്യകതയാൽ നയിക്കപ്പെടുന്നു, കാര്യക്ഷമമായ, കൂടാതെ പ്രശസ്തമായ പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളും.

4.2 ഉയർന്നുവരുന്ന സംയോജനവും ശാശ്വത വികസനവും

ത്രിമാന ഉൽപ്പന്ന പാക്കേജിംഗ് ആർക്കിടെക്ചറുകളിലേക്ക് AlN വലത് സംയോജിപ്പിക്കുന്നതിലാണ് ഭാവി കണ്ടുപിടുത്തങ്ങൾ ശ്രദ്ധ കേന്ദ്രീകരിക്കുന്നത്., വേരൂന്നിയ നിഷ്ക്രിയ ഘടകങ്ങൾ, Si സംയോജിപ്പിക്കുന്ന വൈവിധ്യമാർന്ന സംയോജന സംവിധാനങ്ങളും, SiC, GaN ഗാഡ്‌ജെറ്റുകളും.

നാനോ സ്ട്രക്ചർ ചെയ്ത AlN മൂവികളെയും സിംഗിൾ-ക്രിസ്റ്റൽ സബ്‌സ്‌ട്രാറ്റങ്ങളെയും കുറിച്ചുള്ള ഗവേഷണം അക്കാദമിക് പരിധികളിലേക്ക് താപ ചാലകത വർദ്ധിപ്പിക്കാൻ ലക്ഷ്യമിടുന്നു. (> 300 W/(m · കെ)) അടുത്ത തലമുറ ക്വാണ്ടം, ഒപ്‌റ്റോഇലക്‌ട്രോണിക് ഗാഡ്‌ജെറ്റുകൾക്ക്.

സ്കെയിലബിൾ പൗഡർ സിന്തസിസ് വഴി നിർമ്മാണ ചെലവ് കുറയ്ക്കാനുള്ള ശ്രമങ്ങൾ, സങ്കീർണ്ണമായ സെറാമിക് ചട്ടക്കൂടുകളുടെ അഡിറ്റീവ് നിർമ്മാണം, സുസ്ഥിരത വർധിപ്പിക്കുന്നതിനായി സ്ക്രാപ്പ് AlN ൻ്റെ പുനരുപയോഗം ശക്തി പ്രാപിക്കുന്നു.

കൂടാതെ, പരിമിതമായ മൂലക വിശകലനം ഉപയോഗിച്ച് മോഡലിംഗ് ഉപകരണങ്ങൾ (FEA) കൂടാതെ ചില താപ, വൈദ്യുത ഭാരങ്ങൾക്കായി സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ലേഔട്ട് മെച്ചപ്പെടുത്താൻ കൃത്രിമബുദ്ധി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

ഉപസംഹാരമായി, ഭാരം കുറഞ്ഞ അലുമിനിയം നൈട്രൈഡ് സെറാമിക് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ സമകാലിക ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ ഒരു മൂലക്കല്ല് നവീകരണത്തെ പ്രതിനിധീകരിക്കുന്നു, വൈദ്യുത ഇൻസുലേഷനും മികച്ച താപ പ്രക്ഷേപണവും തമ്മിലുള്ള ശൂന്യതയെ വ്യക്തമായി ബന്ധിപ്പിക്കുന്നു.

ഉയർന്ന കാര്യക്ഷമത അനുവദിക്കുന്നതിൽ അവരുടെ പങ്ക്, ഉയർന്ന വിശ്വാസ്യതയുള്ള പവർ സിസ്റ്റങ്ങൾ ഡിജിറ്റൽ, പവർ നവീകരണങ്ങളുടെ ആവർത്തിച്ചുള്ള പരിണാമത്തിൽ അവയുടെ തന്ത്രപരമായ മൂല്യം ഊന്നിപ്പറയുന്നു.

5. വിതരണക്കാരൻ

ഒക്ടോബറിൽ സ്ഥാപിതമായ അഡ്വാൻസ്ഡ് സെറാമിക്സ് 17, 2012, ഗവേഷണത്തിനും വികസനത്തിനും പ്രതിജ്ഞാബദ്ധമായ ഒരു ഹൈടെക് സംരംഭമാണ്, ഉത്പാദനം, പ്രോസസ്സിംഗ്, സെറാമിക് ആപേക്ഷിക വസ്തുക്കളുടെയും ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെയും വിൽപ്പനയും സാങ്കേതിക സേവനങ്ങളും. ഞങ്ങളുടെ ഉൽപ്പന്നങ്ങളിൽ ബോറോൺ കാർബൈഡ് സെറാമിക് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ ഉൾപ്പെടുന്നു എന്നാൽ അതിൽ മാത്രം പരിമിതപ്പെടുത്തിയിട്ടില്ല, ബോറോൺ നൈട്രൈഡ് സെറാമിക് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സെറാമിക് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ, സിലിക്കൺ നൈട്രൈഡ് സെറാമിക് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ, സിർക്കോണിയം ഡയോക്സൈഡ് സെറാമിക് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ, മുതലായവ. നിങ്ങൾക്ക് താൽപ്പര്യമുണ്ടെങ്കിൽ, ദയവായി ഞങ്ങളെ ബന്ധപ്പെടാൻ മടിക്കേണ്ടതില്ല.
ടാഗുകൾ: അലുമിനിയം നൈട്രൈഡ് സെറാമിക് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ, അലുമിനിയം നൈട്രൈഡ് സെറാമിക്, അൽൻ അലുമിനിയം നൈട്രൈഡ്

എല്ലാ ലേഖനങ്ങളും ചിത്രങ്ങളും ഇൻ്റർനെറ്റിൽ നിന്നുള്ളതാണ്. എന്തെങ്കിലും പകർപ്പവകാശ പ്രശ്നങ്ങൾ ഉണ്ടെങ്കിൽ, ഇല്ലാതാക്കാൻ കൃത്യസമയത്ത് ഞങ്ങളെ ബന്ധപ്പെടുക.

ഞങ്ങളോട് അന്വേഷിക്കൂ