সিলিকন কার্বাইড ক্রুসিবল: তাপ প্রক্রিয়া সিরামিক ক্রুসিবল চাহিদা জন্য উচ্চ-তাপমাত্রা স্থায়িত্ব

1. পণ্যের নীতি এবং কাঠামোগত বৈশিষ্ট্য

1.1 ক্রিস্টাল কেমিস্ট্রি এবং পলিমরফিজম

(সিলিকন কার্বাইড ক্রুসিবল)

সিলিকন কার্বাইড (SiC) সিলিকন এবং কার্বন পরমাণু দ্বারা গঠিত একটি সমযোজী সিরামিক যা একটি টেট্রাহেড্রাল জালিকাঠে স্থাপন করা হয়, সবচেয়ে তাপীয় এবং রাসায়নিকভাবে টেকসই উপকরণগুলির মধ্যে একটির মধ্যে উন্নয়নশীল.

এটা ওভার মধ্যে বিদ্যমান 250 পলিটাইপিক ধরনের, 3C এর সাথে (ঘন), 4এইচ, এবং 6H ষড়ভুজ কাঠামো উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য সবচেয়ে উপযুক্ত.

শক্তিশালী Si– সি বন্ড, বন্ড শক্তি অতিক্রম করে যাচ্ছে সঙ্গে 300 kJ/mol, অসাধারণ দৃঢ়তা প্রদান, তাপ পরিবাহিতা, এবং তাপীয় শক এবং রাসায়নিক ধর্মঘটের প্রতিরোধ.

ক্রুসিবল অ্যাপ্লিকেশনে, গুরুতর তাপীয় গ্রেডিয়েন্ট এবং ধ্বংসাত্মক গলিত বায়ুমণ্ডলের অধীনে স্থাপত্য স্থিতিশীলতা বজায় রাখার ক্ষমতার কারণে sintered বা প্রতিক্রিয়া-বন্ডেড SiC বেছে নেওয়া হয়.

অক্সাইড সিরামিক থেকে ভিন্ন, SiC এর পরমানন্দের ফ্যাক্টরের মতো বিঘ্নিত ফেজ ট্রানজিশন গ্রহণ করে না (~ 2700 °সে), উপরোক্ত টেকসই পদ্ধতির জন্য এটি উপযুক্ত করা 1600 °সে.

1.2 তাপ এবং যান্ত্রিক কর্মক্ষমতা

SiC crucibles এর একটি সংজ্ঞায়িত বৈশিষ্ট্য হল তাদের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা– থেকে শুরু করে 80 থেকে 120 W/(m · K)– যা অভিন্ন উষ্ণতা সঞ্চালনের বিজ্ঞাপন দেয় এবং দ্রুত গরম বা এয়ার কন্ডিশনার জুড়ে তাপ উদ্বেগ কমায়.

এই আবাসিক সম্পত্তি অ্যালুমিনার মতো কম পরিবাহিতা চীনামাটির বাসনগুলির সাথে ব্যাপকভাবে বৈপরীত্য (≈ 30 W/(m · K)), যা থার্মাল শকের অধীনে ভাঙার ঝুঁকিপূর্ণ.

SiC অতিরিক্ত তাপমাত্রার উচ্চতায় ব্যতিক্রমী যান্ত্রিক শক্তি প্রদর্শন করে, ধরে রাখা 80% এর ঘর-তাপমাত্রার নমনীয় দৃঢ়তা (যতটা 400 এমপিএ) এমনকি এ 1400 °সে.

এর তাপীয় সম্প্রসারণের সহগ কমে গেছে (~ 4.0 × 10 ⁻⁶/ কে) আরও তাপীয় শক প্রতিরোধ ক্ষমতা বাড়ায়, পরিবেষ্টিত এবং কার্যকরী তাপমাত্রা স্তরের মধ্যে বারবার সাইকেল চালানো একটি গুরুত্বপূর্ণ বিবেচনা.

উপরন্তু, SiC প্রিমিয়াম পরিধান এবং ঘর্ষণ প্রতিরোধের দেখায়, যান্ত্রিক হ্যান্ডলিং বা ঝড়ো গলা সঞ্চালন entailing বায়ুমণ্ডলে দীর্ঘ সেবা জীবন নিশ্চিত করা.

2. উত্পাদন পদ্ধতি এবং মাইক্রোস্ট্রাকচারাল নিয়ন্ত্রণ

( সিলিকন কার্বাইড ক্রুসিবল)

2.1 সিন্টারিং পদ্ধতি এবং ঘনত্বের পদ্ধতি

শিল্প SiC crucibles প্রাথমিকভাবে চাপহীন sintering মাধ্যমে উত্পাদিত হয়, প্রতিক্রিয়া বন্ধন, বা গরম টিপে, প্রতিটি অফার খরচ অনন্য সুবিধা, বিশুদ্ধতা, এবং কর্মক্ষমতা.

চাপবিহীন সিন্টারিং বোরন এবং কার্বনের মতো সিন্টারিং এইডগুলির সাথে দুর্দান্ত SiC পাউডারকে কম্প্যাক্ট করা জড়িত।, উচ্চ-তাপমাত্রার চিকিত্সা দ্বারা মেনে চলা (2000– 2200 °সে )কাছাকাছি-তাত্ত্বিক ঘনত্ব সম্পন্ন করতে জড় বায়ুমণ্ডলে.

এই কৌশলটি উচ্চ-বিশুদ্ধতা প্রদান করে, সেমিকন্ডাক্টর এবং প্রগতিশীল খাদ পরিচালনার জন্য উপযুক্ত উচ্চ-শক্তির ক্রুসিবল.

প্রতিক্রিয়া-বন্ধন SiC (আরবিএসসি) গলিত সিলিকন সহ একটি ছিদ্রযুক্ত কার্বন প্রিফর্ম ভেদ করে তৈরি করা হয়, যা বিক্রিয়া করে β-SiC সিটিং তৈরি করে, SiC এবং পুনরাবৃত্ত সিলিকন একটি যৌগ ফলে.

ধাতব সিলিকন সংযোজনের কারণে তাপ পরিবাহিতা কিছুটা কমে গেছে, RBSC চমত্কার মাত্রিক স্থিতিশীলতা এবং নিম্ন উৎপাদন মূল্য প্রদান করে, বড় বাণিজ্যিক ব্যবহারের জন্য এটি বিশিষ্ট করে তোলে.

গরম চাপা SiC, যদিও আরো ব্যয়বহুল, সর্বোচ্চ বেধ এবং বিশুদ্ধতা দেয়, একক-ক্রিস্টাল বিকাশের মতো অতি-চাহিদার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য সংরক্ষিত.

2.2 পৃষ্ঠ উচ্চ গুণমান এবং জ্যামিতিক স্পষ্টতা

পোস্ট-sintering মেশিনিং, নাকাল এবং ওয়াশিং গঠিত, নির্দিষ্ট মাত্রার প্রতিরোধ এবং মসৃণ অভ্যন্তরীণ পৃষ্ঠতল নিশ্চিত করে যা নিউক্লিয়েশন ওয়েবসাইটগুলিকে হ্রাস করে এবং দূষণের ঝুঁকি হ্রাস করে.

পৃষ্ঠের রুক্ষতা খুব সাবধানে গলা সংযুক্তি বন্ধ করতে এবং শক্তিশালী পণ্যগুলির খুব সহজ মুক্তির সুবিধার্থে পরিচালিত হয়.

ক্রুসিবল জ্যামিতি– যেমন প্রাচীর পৃষ্ঠের বেধ, টেপার কোণ, এবং নিম্ন বক্রতা– তাপ ভর ভারসাম্য উন্নত করা হয়, কাঠামোগত সহনশীলতা, এবং হিটার বার্নারের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ.

কাস্টমাইজড ডিজাইন নির্দিষ্ট গলা ভলিউম মিটমাট, হিটিং প্রোফাইল, এবং উপাদান সংবেদনশীলতা, বিভিন্ন শিল্প প্রক্রিয়া জুড়ে সর্বোত্তম দক্ষতা গ্যারান্টি.

উন্নত মান নিয়ন্ত্রণ, এক্স-রে বিবর্তন সহ, স্ক্যানিং ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপি, এবং অতিস্বনক স্ক্রীনিং, মাইক্রোস্ট্রাকচারাল একজাতীয়তা এবং ছিদ্র বা বিভাজনের মতো সমস্যাগুলির অভাবকে বৈধ করে.

3. রাসায়নিক প্রতিরোধ এবং গলে যাওয়ার সাথে মিথস্ক্রিয়া

3.1 আক্রমণাত্মক পরিবেশে জড়তা

SiC crucibles গলিত স্টিল দ্বারা রাসায়নিক আক্রমণের অসামান্য প্রতিরোধ প্রদর্শন করে, ধরনের, এবং নন-অক্সিডাইজিং লবণ, প্রচলিত গ্রাফাইট এবং অক্সাইড সিরামিক অতিক্রম করে.

তারা গলিত অ্যালুমিনিয়ামের সংস্পর্শে নিরাপদ, তামা, রূপা, এবং তাদের সংকর ধাতু, কম ইন্টারফেসিয়াল শক্তি এবং প্রতিরক্ষামূলক পৃষ্ঠের অক্সাইড গঠনের ফলে ভেজা এবং দ্রবীভূত হওয়া প্রতিরোধ করা.

ফটোভোলটাইক্স এবং সেমিকন্ডাক্টরের জন্য সিলিকন এবং জার্মেনিয়াম হ্যান্ডলিংয়ে, SiC crucibles ধাতব দূষণ প্রতিরোধ করে যা ডিজিটাল আবাসিক বৈশিষ্ট্যগুলিকে দুর্বল করতে পারে.

তবে, অত্যন্ত অক্সিডাইজিং অবস্থার অধীনে বা ক্ষারীয় পরিবর্তনের দৃশ্যমানতায়, SiC সিলিকা বিকাশ করতে অক্সিডাইজ করতে পারে (SiO ₂), যা নিম্ন-গলনা-বিন্দু সিলিকেট গঠনের জন্য আরও বেশি সাড়া দিতে পারে.

যে কারণে, নিরপেক্ষ বা হ্রাসকারী পরিবেশের জন্য SiC সেরা মিলেছে, যেখানে এর স্থিতিশীলতা সর্বাধিক করা হয়.

3.2 সীমাবদ্ধতা এবং সামঞ্জস্য বিবেচনা

তার দৃঢ়তা সত্ত্বেও, SiC সার্বজনীনভাবে জড় নয়; এটি নির্দিষ্ট গলিত পণ্যের সাথে প্রতিক্রিয়া করে, বিশেষ করে লোহা-গ্রুপ ধাতু (ফে, ইন, কো) কার্বারাইজেশন এবং দ্রবীভূতকরণ প্রক্রিয়া সহ উচ্চ তাপমাত্রায়.

তরল ইস্পাত প্রক্রিয়াকরণে, SiC crucibles দ্রুত ক্ষয় হয় এবং সেই কারণে এড়ানো হয়.

একইভাবে, অ্যান্টাসিড এবং ক্ষারীয় আর্থ স্টিলস (যেমন, লি, ইতিমধ্যেই, সিএ) SiC কমাতে পারে, কার্বন চালু করা এবং সিলিসাইড তৈরি করা, ব্যাটারি উপাদান সংশ্লেষণ বা প্রতিক্রিয়াশীল ইস্পাত ঢালাই তাদের ব্যবহার সীমিত.

তরল গ্লাস এবং সিরামিক জন্য, SiC সাধারণত সামঞ্জস্যপূর্ণ তবে অত্যন্ত সংবেদনশীল অপটিক্যাল বা ইলেকট্রনিক চশমার মধ্যে ট্রেস সিলিকন উপস্থাপন করতে পারে.

উপযুক্ত ক্রুসিবল ধরণের নির্বাচন করার জন্য এবং প্রক্রিয়ার বিশুদ্ধতা এবং ক্রুসিবল দীর্ঘায়ু নিশ্চিত করার জন্য এই উপাদান-নির্দিষ্ট মিথস্ক্রিয়াগুলিকে স্বীকৃতি দেওয়া প্রয়োজন।.

4. শিল্প অ্যাপ্লিকেশন এবং প্রযুক্তিগত বিবর্তন

4.1 ধাতুবিদ্যা, সেমিকন্ডাক্টর, এবং নবায়নযোগ্য শক্তি সেক্টর

সৌর ব্যাটারির জন্য মাল্টিক্রিস্টালাইন এবং মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গট তৈরিতে SiC ক্রুসিবলগুলি গুরুত্বপূর্ণ, যেখানে তারা ~ এ গলিত সিলিকনের দীর্ঘস্থায়ী এক্সপোজারের জন্য দাঁড়ায় 1420 °সে.

তাদের তাপ সুরক্ষা নির্দিষ্ট অভিন্ন ঘনীভূত করে এবং স্থানচ্যুতি ঘনত্ব হ্রাস করে, সরাসরি সৌর দক্ষতা প্রভাবিত.

কারখানায়, SiC ক্রুসিবলগুলি অলৌহঘটিত ধাতু যেমন অ্যালুমিনিয়াম এবং পিতল গলানোর জন্য ব্যবহৃত হয়, কাদামাটি-গ্রাফাইট বিকল্পগুলির বিপরীতে দীর্ঘ জীবনকাল সরবরাহ করা এবং ড্রসের বিকাশ হ্রাস করা.

এগুলি থার্মোগ্রাভিমেট্রিক মূল্যায়নের জন্য উচ্চ-তাপমাত্রার ল্যাবে অতিরিক্ত ব্যবহার করা হয়, ডিফারেনশিয়াল স্ক্যানিং ক্যালোরিমিট্রি, এবং অত্যাধুনিক চীনামাটির বাসন এবং আন্তঃধাতু যৌগগুলির সংশ্লেষণ.

4.2 ভবিষ্যত ফ্যাডস এবং অ্যাডভান্সড প্রোডাক্ট কম্বিনেশন

উদীয়মান অ্যাপ্লিকেশনগুলি পরবর্তী প্রজন্মের পারমাণবিক পণ্য স্ক্রীনিং এবং গলিত লবণ চুল্লিতে SiC ক্রুসিবলের ব্যবহার নিয়ে গঠিত, যেখানে তাদের বিকিরণ এবং গলিত ফ্লোরাইডের প্রতিরোধের মূল্যায়ন করা হচ্ছে.

আবরণ যেমন পাইরোলাইটিক বোরন নাইট্রাইড (পিবিএন) বা ytria (Y দুই হে ₃) অতিরিক্তভাবে রাসায়নিক জড়তা বাড়াতে এবং অতি-উচ্চ-বিশুদ্ধতা পদ্ধতিতে সিলিকন প্রসারণ বন্ধ করতে SiC পৃষ্ঠের এলাকায় প্রয়োগ করা হচ্ছে.

বাইন্ডার জেটিং বা স্টেরিওলিথোগ্রাফি ব্যবহার করে SiC উপাদানগুলির সংযোজনী উত্পাদন বিকাশাধীন, বিশেষায়িত ক্রুসিবল ডিজাইনের জন্য আকর্ষণীয় সুবিধা জ্যামিতি এবং দ্রুত প্রোটোটাইপিং.

শক্তি-দক্ষ জন্য প্রয়োজন বৃদ্ধি হিসাবে, দীর্ঘস্থায়ী, এবং দূষণ-মুক্ত উচ্চ-তাপমাত্রা পরিচালনা, সিলিকন কার্বাইড ক্রুসিবল অবশ্যই উন্নত পণ্য উৎপাদনে একটি ভিত্তিপ্রস্তর আধুনিক প্রযুক্তি হিসেবে থাকবে.

উপসংহারে, সিলিকন কার্বাইড ক্রুসিবলগুলি উচ্চ-তাপমাত্রার শিল্প এবং ক্লিনিকাল পদ্ধতিতে একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদানের প্রতিনিধিত্ব করে.

তাদের তাপীয় স্থিতিশীলতার অসম সমন্বয়, যান্ত্রিক দৃঢ়তা, এবং রাসায়নিক প্রতিরোধ তাদের অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পছন্দের উপাদান করে তোলে যেখানে দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা গুরুত্বপূর্ণ.

5. প্রদানকারী

অক্টোবরে প্রতিষ্ঠিত উন্নত সিরামিক 17, 2012, গবেষণা এবং উন্নয়নের জন্য প্রতিশ্রুতিবদ্ধ একটি উচ্চ প্রযুক্তির উদ্যোগ, উত্পাদন, প্রক্রিয়াকরণ, সিরামিক আপেক্ষিক উপকরণ এবং পণ্য বিক্রয় এবং প্রযুক্তিগত সেবা. আমাদের পণ্য বোরন কার্বাইড সিরামিক পণ্য অন্তর্ভুক্ত কিন্তু সীমাবদ্ধ নয়, বোরন নাইট্রাইড সিরামিক পণ্য, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক পণ্য, সিলিকন নাইট্রাইড সিরামিক পণ্য, জিরকোনিয়াম ডাই অক্সাইড সিরামিক পণ্য, ইত্যাদি. আপনি আগ্রহী হলে, আমাদের সাথে যোগাযোগ বিনা দ্বিধায় দয়া করে.
ট্যাগ: সিলিকন কার্বাইড ক্রুসিবল, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ক্রুসিবল

সমস্ত নিবন্ধ এবং ছবি ইন্টারনেট থেকে প্রাপ্ত. কোন কপিরাইট সমস্যা আছে, মুছে ফেলার সময় আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন.

আমাদের তদন্ত