1. Ny fitsipiky ny vokatra sy ny toetra ara-drafitra
1.1 Crystal Chemistry sy Polymorphism
(Silicon Carbide Crucibles)
Silicon carbide (sento) dia seramika covalent voaforon'ny silisiôma sy atôma karbônina apetraka ao anaty makarakara tetrahedral., mivoatra ao anatin'ny iray amin'ireo akora maharitra indrindra amin'ny hafanana sy simika azo.
Misy amin'ny over 250 karazana polytype, miaraka amin'ny 3c (toratelo), 4H, ary ny rafitra hexagonal 6H no mety indrindra amin'ny fampiharana amin'ny hafanana avo.
Ny matanjaka Si– C fatorana, miaraka amin'ny herin'ny fatorana mihoatra lavitra 300 kJ/mol, manome tanjaka miavaka, conductivity mafana, ary fanoherana ny fahatafintohinana mafana sy ny fitokonana simika.
Amin'ny fampiharana crucible, Ny SiC voasivana na mifamatotra amin'ny fanehoan-kevitra dia nofidina noho ny fahaizany mitazona ny fahamarinan-toeran'ny maritrano ao anatin'ny gradient mafana mahery sy ny atmosfera mitsonika manimba..
Tsy toy ny seramika oxide, Ny SiC dia tsy manao fifindran'ny dingana manakorontana toy ny fatran'ny sublimation (~ 2700 ° C), mahatonga azy ho mety amin'ny dingana maharitra eo ambony 1600 ° C.
1.2 Fampisehoana mafana sy mekanika
Ny toetra mampiavaka ny SiC crucibles dia ny conductivity mafana avo lenta– manomboka amin'ny 80 ny 120 W/(m · K)– izay manambara ny fiparitahan'ny hafanana mitovitovy ary mampihena ny tebiteby amin'ny hafanana mandritra ny hafanana haingana na ny rivotra.
Ity trano fonenana ity dia mifanohitra tanteraka amin'ny porcelain ambany conductivity toy ny alumina (≈ 30 W/(m · K)), izay mora vaky amin'ny fahatapahan'ny hafanana.
Ny SiC koa dia mampiseho hery mekanika miavaka amin'ny haavon'ny mari-pana ambony, mitazona mihoatra 80% ny hamafin'ny flexural mari-pana amin'ny efitrano (araka ny 400 MPa) na amin'ny 1400 ° C.
Mihena ny coefficient amin'ny fanitarana mafana (~ 4.0 × 10 ⁻⁶/ K) mampitombo ny fanoherana ny fahatafintohinana mafana, zava-dehibe ny fiheverana ny fiverimberenan'ny bisikileta eo anelanelan'ny haavon'ny mari-pana manodidina sy miasa.
Ankoatry ny, Ny SiC dia mampiseho ny akanjo ambony sy ny fanoherana ny abrasion, manome antoka ny fiainana maharitra amin'ny atmosfera izay mitaky fikarakarana mekanika na fikorianan'ny rivotra mahery vaika.
2. Fomba fanamboarana sy fanaraha-maso microstructural
( Silicon Carbide Crucibles)
2.1 Fomba sintering sy fomba fanamafisam-peo
Ny fako indostrialy SiC dia novokarina tamin'ny alàlan'ny sintering tsy misy tsindry, famatorana valiny, na fanerena mafana, samy manolotra tombony manokana amin'ny vidiny, fahadiovana, ary fampisehoana.
Ny sintering tsy misy fanerena dia ny fametahana vovoka SiC lehibe miaraka amin'ny fanampiana sintering toy ny boron sy karbaona, hajaina amin'ny fitsaboana amin'ny hafanana ambony (2000– 2200 ° C )ao amin'ny atmosfera inert mba hanatanterahana ny hakitroky ny teorika akaiky.
Ity teknika ity dia manome fahadiovana avo lenta, crucibles avo lenta mifanaraka amin'ny semiconductor sy fikolokoloana firaka mandroso.
SiC mifamatotra amin'ny fanehoan-kevitra (RBSC) dia noforonina tamin'ny alalan'ny fanindronana karbaona porous preform miaraka amin'ny silisiôma voarendrika, izay mihetsika amin'ny famoronana β-SiC mipetraka, miteraka fitambarana SiC sy silisiôma miverimberina.
Raha nihena kely ny conductivity mafana noho ny fanampiny silisiôma metaly, RBSC dia manome fahamarinan-toerana faran'izay tsara sy ny vidiny famokarana ambany kokoa, mahatonga azy ho malaza amin'ny fampiasana ara-barotra lehibe.
SiC voatsindry mafana, na dia lafo kokoa aza, manome ny hateviny sy ny fahadiovana lehibe indrindra, natokana ho an'ny fampiharana faran'izay mitaky toy ny fivoarana kristaly tokana.
2.2 Surface High Quality sy Geometric Precision
Post-sintering machining, ahitana fitotoana sy fanasana, miantoka ny fanoherana amin'ny refy manokana sy ny faritra anatiny malefaka izay mampihena ny tranokalan'ny nucleation ary mampihena ny loza ateraky ny loto.
Ny haratsian'ny ety ambonin'ny tany dia karakaraina tsara mba hampitsaharana ny firaiketam-po sy hanamora ny famoahana ireo vokatra nohamafisina.
Geometrika azo tsapain-tanana– toy ny hatevin'ny rindrina, taper zoro, ary ambany curvature– dia hatsaraina mba handanjalanjana ny hafanana mafana, structural stamina, ary mifanaraka amin'ny heater burner.
Ny endrika namboarina manokana dia mahafeno ny habetsaky ny rano, fanafanana profil, ary ny fahatsapana ara-materialy, miantoka ny fahombiazana tsara indrindra mandritra ny dingana indostrialy isan-karazany.
Fanaraha-maso kalitao avo lenta, anisan'izany ny X-ray diffraction, scanning mikroskopika elektronika, ary fitiliana ultrasonic, manamarina ny homogeneity microstructural sy ny tsy fisian'ny olana toy ny pores na fizarazarana.
3. Fanoherana simika sy Fifandraisana amin'ny Melts
3.1 Inertness amin'ny tontolo masiaka
Ny crucibles SiC dia mampiseho fanoherana miavaka amin'ny fanafihana simika ataon'ny vy miendrika, AHOANA, ary sira tsy oxidizing, mihoatra ny mahazatra graphite sy oxide seramika.
Izy ireo dia azo antoka amin'ny fifandraisana amin'ny aliminioma voarendrika, VARAHINA, Silver, sy ny alloys, manohitra ny fandotoana sy ny famongorana noho ny herin'ny interfacial ambany sy ny fiforonan'ny oxides ambonin'ny fiarovana.
Amin'ny fikarakarana silisiôma sy germanium ho an'ny photovoltaics sy semiconductor, Ny crucibles SiC dia misoroka ny fandotoana metaly izay mety hampihena ny trano fonenana nomerika.
na izany aza, ao anatin'ny toe-javatra oxidizing be loatra na amin'ny fahitana ny fiovan'ny alkaline, Ny SiC dia afaka oxidize mba hamorona silica (SiO ₂), izay mety hamaly bebe kokoa amin'ny fananganana silicates ambany levona.
Noho izany antony izany, Ny SiC dia mifanentana tsara indrindra amin'ny tontolo tsy miandany na mampihena, izay ampitomboina ny fahamarinany.
3.2 Famerana sy fiheverana mifanaraka
Na dia eo aza ny hamafin'ny, Ny SiC dia tsy inert amin'ny ankapobeny; Mihetsika amin'ny vokatra anidina sasany izy io, indrindra fa ny metaly vondrona vy (Fe, In, mpiara) amin'ny hafanana avo miaraka amin'ny fizotry ny carburization sy ny famongorana.
Amin'ny fanodinana vy liquefied, Miharatsy haingana ny crucibles SiC ary noho izany antony izany no ialàna.
Amin'ny fomba mitovy, antacids sy vy alkaline tany (oh., Li, EFA, Ca) afaka manamaivana ny SiC, mamokatra karbaona ary mamorona silicides, mametra ny fampiasana azy ireo amin'ny synthesis fitaovana bateria na fanariana vy.
Ho an'ny vera sy seramika feno rano, Ny SiC matetika dia mifanentana nefa mety manolotra trace silisiôma ao anaty solomaso optika na elektronika tena saro-pady.
Ny fahafantarana ireo fifandraisana manokana ireo dia ilaina amin'ny fisafidianana ny karazana crucible mety sy ny fiantohana ny fahadiovana sy ny faharetan'ny crucible..
4. Fampiharana indostrialy sy ny fivoaran'ny teknolojia
4.1 mpampatsiro hanina, Semiconductor, ary ny sehatra angovo azo havaozina
Ny crucibles SiC dia tena ilaina amin'ny famokarana silisiôna multicrystalline sy monocrystalline ho an'ny bateria masoandro., izay ijoroan'izy ireo amin'ny fiparitahana mivantana maharitra amin'ny silisiôma voarendrika amin'ny ~ 1420 ° C.
Ny fiarovana amin'ny hafanana dia mahatonga ny condensation mitovy ary mampihena ny hakitroky ny dislocation, mivantana misy fiantraikany amin'ny herin'ny masoandro.
Ao amin'ny orinasa, Ny crucibles SiC dia ampiasaina amin'ny fandoroana metaly tsy ferrous toy ny alimo sy varahina, manome ny androm-piainana lava kokoa sy ny fihenan'ny fivoaran'ny tain-drendrika mifanohitra amin'ny safidy tanimanga-grafita.
Izy ireo koa dia ampiasaina amin'ny laboratoara avo lenta ho an'ny fanombanana thermogravimetric, differential scanning calorimetry, ary ny synthesis ny porcelain sophisticated sy ny intermetallic compounds.
4.2 Fads ho avy sy fitambaran'ny vokatra mandroso
Ny fampiharana vao misondrotra dia ny fampiasana ny SiC crucibles amin'ny fanaraha-maso ny vokatra nokleary manaraka sy ny reactors sira., izay anombanana ny fanoherana azy ireo amin'ny taratra sy ny fluoride mitsonika.
Coatings toy ny pyrolytic boron nitride (PBN) na yttria (Y ROA O ₃) dia ampiharina amin'ny faritra ambonin'ny SiC mba hanamafisana ny tsy fahampian'ny simika ary hampitsahatra ny fiparitahan'ny silisiôma amin'ny fomba madio indrindra..
Ny famokarana fanampiny amin'ny singa SiC mampiasa ny binder jetting na stereolithography dia eo am-pamolavolana, geometries amin'ny fitaovana manintona sy prototyping haingana ho an'ny famolavolana crucible manokana.
Rehefa mitombo ny filana mitsitsy angovo, maharitra, ary ny fikarakarana hafanana avo tsy misy loto, Azo antoka fa hijanona ho vato fehizoro teknolojia maoderina amin'ny famokarana vokatra avo lenta ny silisiôma carbide.
Raha fintinina, Ny kôkômbra carbide silisiôma dia maneho singa iray ahafahana manakiana amin'ny fomba fiasa indostrialy sy klinika amin'ny hafanana.
Ny fitambaran'izy ireo tsy manan-tsahala ny fahamarinan-toerana mafana, hamafin'ny mekanika, ary ny fanoherana simika dia mahatonga azy ireo ho fitaovana isafidianana ho an'ny fampiharana izay tena zava-dehibe ny fahombiazana sy ny fahatokisana.
5. Mpanome
Advanced Ceramic naorina tamin'ny Oktobra 17, 2012, dia orinasa teknolojia avo lenta manolo-tena amin'ny fikarohana sy ny fampandrosoana, famokarana, TAOZAVABAVENTY, varotra sy serivisy ara-teknika amin'ny fitaovana sy vokatra seramika. Ny vokatray dia ahitana fa tsy voafetra amin'ny vokatra seramika Boron Carbide, Boron Nitride Ceramic Products, Silicon Carbide Ceramic Products, Silicon Nitride Ceramic Products, Zirconium Dioxide Ceramic Products, sns. Raha liana ianao, azafady mba mifandraisa aminay.
Tags: Silicon Carbide Crucibles, Silicon Carbide Ceramic, Silicon Carbide Ceramic Crucibles
Ny lahatsoratra sy sary rehetra dia avy amin'ny Internet. Raha misy olana momba ny zon'ny mpamorona, azafady mba mifandraisa aminay amin'ny fotoana hamafa.
Manontany anay