1. Silicio karbido kristalografija ir medžiagų pagrindai
1.1 Polimorfizmas ir atominis sujungimas SiC
(Silicio karbido keraminės plokštės)
Silicio karbidas (SiC) yra kovalentinė keraminė medžiaga, sudaryta iš silicio ir anglies atomų a 1:1 stechiometrinis santykis, identifikuojamas dėl išskirtinio polimorfizmo– baigta 250 žinomi politipai– visi jie dalijasi kietais kryptiniais kovalentiniais ryšiais, tačiau skiriasi Si-C dvisluoksnių sluoksnių polių serija.
Vienas iš tinkamiausių politipų yra 3C-SiC (kubinis cinko mišinio karkasas), ir šešiakampės rūšys 4H-SiC ir 6H-SiC, kiekvienas rodo subtilius pralaidumo skirtumus, elektronų judrumas, ir šilumos laidumas, turintis įtakos jų tinkamumui naudoti detalėms.
Si kietumas– C jungtis, kurių ryšio energija apytiksliai 318 kJ/mol, yra nepaprasto SiC tvirtumo pagrindas (Moso stiprumas 9– 9.5), didelis lydymosi koeficientas (~ 2700 °C), ir atsparumas cheminiam sunaikinimui bei terminiam šokui.
Keraminėse plokštelėse, politipas dažniausiai parenkamas pagal numatytą paskirtį: 6H-SiC vyrauja architektūrinėse srityse dėl jo sintezės patogumo, o 4H-SiC valdo didelės galios elektroniką savo aukščiausios kokybės neįgaliojo vežimėliui.
Platus diapazonas (2.9– 3.3 eV priklausomai nuo politipo) Be to, SiC yra išskirtinis gryno tipo elektros izoliatorius, nors jis gali būti legiruotas, kad veiktų kaip puslaidininkis specializuotuose skaitmeniniuose įrankiuose.
1.2 Keraminių plokščių mikrostruktūra ir etapo grynumas
Silicio karbido keraminių plokščių veikimas labai priklauso nuo mikrostruktūrinių savybių, tokių kaip grūdelių dydis, storio, scenos homogeniškumas, ir papildomų etapų ar taršos buvimas.
Aukštos kokybės plokštės paprastai gaminamos iš submikroninių arba nanoskalės SiC miltelių sudėtingais sukepinimo metodais, sukeliantis smulkiagrūdis, visiškai tankios mikrostruktūros, kurios maksimaliai padidina mechaninį atsparumą ir šilumos laidumą.
Užterštumas, pvz., nemokama anglis, silicio dioksidas (SiO DU), arba sukepinimo pagalba, pvz., boras arba lengvas aliuminis, turi būti kruopščiai reguliuojamas, nes jie gali sudaryti tarpkristalines plėveles, kurios sumažina atsparumą aukštai temperatūrai ir atsparumą oksidacijai.
Pasikartojantis poringumas, taip pat esant sumažintam laipsniui (
Advanced Ceramics įkurta spalio mėn 17, 2012, yra aukštųjų technologijų įmonė, įsipareigojusi atlikti tyrimus ir plėtrą, gamyba, apdorojimas, keraminių medžiagų, tokių kaip silicio karbido keraminės plokštės, pardavimas ir techninės paslaugos. Mūsų gaminiai apima boro karbido keramikos gaminius, bet jais neapsiribojant, Boro nitrido keramikos gaminiai, Silicio karbido keramikos gaminiai, Silicio nitrido keramikos gaminiai, Cirkonio dioksido keramikos gaminiai, ir tt. Jei jus domina, nedvejodami susisiekite su mumis.
Žymos: silicio karbido plokštė,karbido plokštė,silicio karbido lakštas
Visi straipsniai ir nuotraukos yra iš interneto. Jei yra kokių nors autorių teisių problemų, susisiekite su mumis laiku, kad ištrintumėte.
Pasiteiraukite mūsų