సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ప్లేట్లు: అసాధారణమైన థర్మల్‌తో అధిక-ఉష్ణోగ్రత నిర్మాణ వస్తువులు, మెకానికల్, మరియు పర్యావరణ స్థిరత్వం అల్యూమినా ఇటుకలు

1. సిలికాన్ కార్బైడ్ యొక్క క్రిస్టలోగ్రఫీ మరియు మెటీరియల్ బేసిక్స్

1.1 SiCలో పాలిమార్ఫిజం మరియు అటామిక్ బాండింగ్

(సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ప్లేట్లు)

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) a లో సిలికాన్ మరియు కార్బన్ పరమాణువులతో కూడిన సమయోజనీయ సిరామిక్ పదార్ధం 1:1 స్టోయికియోమెట్రిక్ నిష్పత్తి, దాని అసాధారణమైన పాలిమార్ఫిజం ద్వారా గుర్తించబడింది– పైగా 250 తెలిసిన పాలిటైప్‌లు– అన్నీ ఘన దిశాత్మక సమయోజనీయ బంధాలను పంచుకుంటాయి కానీ Si-C బిలేయర్‌ల పైలింగ్ సిరీస్‌లో మారుతూ ఉంటాయి.

అత్యంత సముచితమైన పాలీటైప్‌లలో ఒకటి 3C-SiC (క్యూబిక్ జింక్ బ్లెండె ఫ్రేమ్‌వర్క్), మరియు షట్కోణ రకాలు 4H-SiC మరియు 6H-SiC, ప్రతి ఒక్కటి బ్యాండ్‌గ్యాప్‌లో సూక్ష్మ వైవిధ్యాలను ప్రదర్శిస్తుంది, ఎలక్ట్రాన్ చలనశీలత, మరియు వివరాల అప్లికేషన్‌లకు వాటి అనుకూలతను ప్రభావితం చేసే ఉష్ణ వాహకత.

Si యొక్క దృఢత్వం– సి బాండ్, సుమారు బంధ శక్తితో 318 kJ/mol, SiC యొక్క విశేషమైన దృఢత్వాన్ని బలపరుస్తుంది (మొహ్స్ ఘనత 9– 9.5), అధిక ద్రవీభవన కారకం (~ 2700 ° C), మరియు రసాయన విధ్వంసం మరియు థర్మల్ షాక్‌కు నిరోధకత.

సిరామిక్ ప్లేట్లలో, పాలిటైప్ సాధారణంగా ఉద్దేశించిన వినియోగం ఆధారంగా ఎంపిక చేయబడుతుంది: 6H-SiC సంశ్లేషణ సౌలభ్యం ఫలితంగా ఆర్కిటెక్చరల్ అప్లికేషన్‌లలో ప్రబలంగా ఉంది, అయితే 4H-SiC దాని ఉన్నతమైన ఫీజు ప్రొవైడర్ వీల్‌చైర్ కోసం హై-పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్‌లో నియంత్రిస్తుంది.

విస్తృత బ్యాండ్‌గ్యాప్ (2.9– 3.3 పాలీటైప్‌పై ఆధారపడి eV) అదనంగా SiC ని దాని స్వచ్ఛమైన రకంలో అసాధారణమైన ఎలక్ట్రిక్ ఇన్సులేటర్‌గా చేస్తుంది, ప్రత్యేక డిజిటల్ సాధనాల్లో సెమీకండక్టర్‌గా పనిచేయడానికి దీనిని డోప్ చేయవచ్చు.

1.2 సిరామిక్ ప్లేట్లలో మైక్రోస్ట్రక్చర్ మరియు స్టేజ్ ప్యూరిటీ

సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ప్లేట్ల పనితీరు ధాన్యం పరిమాణం వంటి సూక్ష్మ నిర్మాణ లక్షణాలపై ఆధారపడి ఉంటుంది, మందం, దశ సజాతీయత, మరియు అదనపు దశలు లేదా కాలుష్యాల ఉనికి.

హై-గ్రేడ్ ప్లేట్లు సాధారణంగా సబ్‌మిక్రాన్ లేదా నానోస్కేల్ SiC పౌడర్‌ల నుండి అధునాతన సింటరింగ్ పద్ధతులతో తయారు చేయబడతాయి., దీనివల్ల సన్నగా ఉంటుంది, యాంత్రిక దృఢత్వం మరియు ఉష్ణ వాహకతను పెంచే పూర్తిగా దట్టమైన సూక్ష్మ నిర్మాణాలు.

కాంప్లిమెంటరీ కార్బన్ వంటి కాలుష్యాలు, సిలికా (SiO TWO), లేదా బోరాన్ లేదా లైట్ వెయిట్ అల్యూమినియం వంటి సింటరింగ్ సహాయం పూర్తిగా నియంత్రించబడాలి, అవి అధిక-ఉష్ణోగ్రత స్టామినా మరియు ఆక్సీకరణ నిరోధకతను తగ్గించే ఇంటర్‌గ్రాన్యులర్ ఫిల్మ్‌లను ఏర్పరుస్తాయి.

పునరావృత సచ్ఛిద్రత, తగ్గిన డిగ్రీల వద్ద కూడా (

అధునాతన సిరామిక్స్ అక్టోబర్‌లో స్థాపించబడింది 17, 2012, పరిశోధన మరియు అభివృద్ధికి కట్టుబడి ఉన్న హైటెక్ సంస్థ, ఉత్పత్తి, ప్రాసెసింగ్, సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ప్లేట్లు వంటి సిరామిక్ సంబంధిత పదార్థాల విక్రయాలు మరియు సాంకేతిక సేవలు. మా ఉత్పత్తులు బోరాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులకు మాత్రమే పరిమితం కాకుండా ఉంటాయి, బోరాన్ నైట్రైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, సిలికాన్ నైట్రైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, జిర్కోనియం డయాక్సైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, మొదలైనవి. మీకు ఆసక్తి ఉంటే, దయచేసి మమ్మల్ని సంప్రదించడానికి సంకోచించకండి.
ట్యాగ్‌లు: సిలికాన్ కార్బైడ్ ప్లేట్,కార్బైడ్ ప్లేట్,సిలికాన్ కార్బైడ్ షీట్

అన్ని వ్యాసాలు మరియు చిత్రాలు ఇంటర్నెట్ నుండి వచ్చినవి. ఏదైనా కాపీరైట్ సమస్యలు ఉంటే, దయచేసి తొలగించడానికి సమయానికి మమ్మల్ని సంప్రదించండి.

మమ్మల్ని విచారించండి