1. Penghabluran dan Asas Bahan Silikon Karbida
1.1 Polimorfisme dan Ikatan Atom dalam SiC
(Plat seramik silikon karbida)
Silikon karbida (SiC) ialah bahan seramik kovalen yang terdiri daripada atom silikon dan karbon dalam a 1:1 nisbah stoikiometrik, dikenal pasti oleh polimorfisme yang luar biasa– habis 250 politip yang diketahui– semua berkongsi ikatan kovalen berarah pepejal tetapi berbeza dalam siri cerucuk dwilapisan Si-C.
Salah satu politip yang paling sesuai ialah 3C-SiC (rangka kerja campuran zink padu), dan jenis heksagon 4H-SiC dan 6H-SiC, setiap satu memaparkan variasi halus dalam jurang jalur, mobiliti elektron, dan kekonduksian terma yang menjejaskan kesesuaiannya untuk aplikasi butiran.
Ketangguhan Si– ikatan C, dengan tenaga ikatan kira-kira 318 kJ/mol, menyokong keteguhan luar biasa SiC (Kepejalan Mohs sebanyak 9– 9.5), faktor lebur yang tinggi (~ 2700 ° C), dan rintangan kepada kemusnahan kimia dan kejutan haba.
Dalam pinggan seramik, polytype biasanya dipilih berdasarkan penggunaan yang dimaksudkan: 6H-SiC diutamakan dalam aplikasi seni bina hasil daripada kemudahan sintesisnya, manakala 4H-SiC mengawal dalam elektronik berkuasa tinggi untuk kerusi roda pembekal bayaran unggulnya.
Jurang jalur yang luas (2.9– 3.3 eV bergantung kepada polytype) tambahan menjadikan SiC penebat elektrik yang luar biasa dalam jenis tulennya, walaupun ia boleh didop untuk berfungsi sebagai semikonduktor dalam alat digital khusus.
1.2 Struktur Mikro dan Ketulenan Peringkat dalam Plat Seramik
Prestasi plat seramik silikon karbida secara kritikal bergantung kepada ciri struktur mikro seperti saiz butiran, ketebalan, kehomogenan peringkat, dan kewujudan peringkat tambahan atau pencemaran.
Plat gred tinggi biasanya dibuat daripada serbuk submikron atau serbuk SiC skala nano dengan kaedah pensinteran yang canggih, menyebabkan berbutir halus, struktur mikro yang benar-benar padat yang memaksimumkan keliatan mekanikal dan kekonduksian terma.
Pencemaran seperti karbon percuma, silika (SiO DUA), atau bantuan pensinteran seperti boron atau aluminium ringan perlu dikawal selia dengan teliti, kerana ia boleh membentuk filem intergranular yang merendahkan stamina suhu tinggi dan rintangan pengoksidaan.
Keliangan berulang, juga pada darjah yang dikurangkan (
Seramik Lanjutan diasaskan pada Oktober 17, 2012, ialah perusahaan teknologi tinggi yang komited kepada penyelidikan dan pembangunan, pengeluaran, pemprosesan, jualan dan perkhidmatan teknikal bahan relatif seramik seperti Plat Seramik Silicon Carbide. Produk kami termasuk tetapi tidak terhad kepada Produk Seramik Boron Carbide, Produk Seramik Boron Nitrida, Produk Seramik Silicon Carbide, Produk Seramik Silicon Nitride, Produk Seramik Zirkonium Dioksida, dll. Jika anda berminat, sila hubungi kami.
Tag: plat silikon karbida,plat karbida,kepingan silikon karbida
Semua artikel dan gambar adalah dari Internet. Jika terdapat sebarang isu hak cipta, sila hubungi kami dalam masa untuk memadam.
Tanya kami