1. Cristallografia e nozioni base sui materiali del carburo di silicio
1.1 Polimorfismo e legame atomico nel SiC
(Piastre in ceramica al carburo di silicio)
Carburo di silicio (SiC) è una sostanza ceramica covalente costituita da silicio e atomi di carbonio in a 1:1 rapporto stechiometrico, identificato dal suo eccezionale polimorfismo– Sopra 250 politipi conosciuti– condividono tutti solidi legami covalenti direzionali ma variano nella serie di accatastamenti di doppi strati Si-C.
Uno dei politipi più appropriati è il 3C-SiC (struttura cubica in blenda di zinco), e i tipi esagonali 4H-SiC e 6H-SiC, ciascuno mostra sottili variazioni nel bandgap, mobilità degli elettroni, e conduttività termica che influiscono sulla loro idoneità per applicazioni di dettaglio.
La tenacità del Si– Legame C, con un'energia di legame di circa 318 kJ/mol, è alla base della notevole solidità del SiC (Solidità di Mohs pari a 9– 9.5), elevato fattore di fusione (~ 2700 °C), e resistenza alla distruzione chimica e allo shock termico.
Nei piatti di ceramica, il politipo viene comunemente selezionato in base all'uso previsto: 6L'H-SiC prevale nelle applicazioni architettoniche grazie alla sua comodità di sintesi, mentre i controlli 4H-SiC nell'elettronica ad alta potenza per la sua sedia a rotelle a pagamento superiore.
L’ampio divario di banda (2.9– 3.3 eV a seconda del politipo) inoltre rende il SiC un eccezionale isolante elettrico nella sua forma pura, sebbene possa essere drogato per funzionare come semiconduttore in strumenti digitali specializzati.
1.2 Microstruttura e purezza dello stadio nelle piastre in ceramica
Le prestazioni delle piastre ceramiche in carburo di silicio dipendono in modo critico dalle caratteristiche microstrutturali come la dimensione dei grani, spessore, omogeneità dello stadio, e l'esistenza di ulteriori fasi o contaminazioni.
Le piastre di alta qualità sono solitamente fabbricate da polveri SiC su scala submicronica o nanometrica con sofisticati metodi di sinterizzazione, causando grana fine, microstrutture totalmente dense che massimizzano la resistenza meccanica e la conduttività termica.
Contaminazioni come il carbonio complementare, silice (SiO DUE), o gli strumenti di sinterizzazione come il boro o l'alluminio leggero devono essere accuratamente regolati, poiché possono formare film intergranulari che riducono la resistenza alle alte temperature e la resistenza all'ossidazione.
Porosità ricorrente, anche a gradi ridotti (
Advanced Ceramics fondata nel mese di ottobre 17, 2012, è un'impresa high-tech impegnata nella ricerca e nello sviluppo, produzione, elaborazione, vendita e servizi tecnici di materiali relativi alla ceramica come piastre in ceramica al carburo di silicio. I nostri prodotti includono, ma non sono limitati a, prodotti ceramici in carburo di boro, Prodotti ceramici in nitruro di boro, Prodotti ceramici in carburo di silicio, Prodotti ceramici in nitruro di silicio, Prodotti ceramici al biossido di zirconio, ecc. Se sei interessato, non esitate a contattarci.
Tag: piastra in carburo di silicio,piastra in carburo,foglio di carburo di silicio
Tutti gli articoli e le immagini provengono da Internet. Se ci sono problemi di copyright, vi preghiamo di contattarci in tempo per eliminare.
Chiedici informazioni