1. 실리콘 카바이드의 결정학 및 재료 기초
1.1 SiC의 다형성과 원자 결합
(실리콘 카바이드 세라믹 플레이트)
실리콘 카바이드 (SiC) 실리콘과 탄소 원자로 구성된 공유결합 세라믹 물질입니다. 1:1 화학량론적 비율, 탁월한 다형성으로 식별됨– ~ 위에 250 알려진 다형– 모두 견고한 방향성 공유 결합을 공유하지만 일련의 Si-C 이중층이 쌓여 있음.
가장 적합한 폴리타입 중 하나는 3C-SiC입니다. (큐빅 아연 블렌드 프레임워크), 및 육각형 종류 4H-SiC 및 6H-SiC, 각각은 밴드갭의 미묘한 변화를 나타냅니다., 전자 이동성, 세부 용도에 대한 적합성에 영향을 미치는 열전도도.
Si의 강인함– C 본드, 대략적인 결합 에너지로 318 kJ/mol, SiC의 놀라운 견고성을 뒷받침합니다. (모스 견고성 9– 9.5), 높은 융해 인자 (~ 2700 ℃), 화학적 파괴 및 열충격에 대한 내성.
세라믹 접시에, 폴리타입은 일반적으로 의도된 용도에 따라 선택됩니다.: 6H-SiC는 합성의 편의성으로 인해 건축 응용 분야에서 널리 사용됩니다., 4H-SiC는 우수한 수수료 제공자 휠체어를 위해 고전력 전자 장치를 제어합니다..
넓은 밴드갭 (2.9– 3.3 폴리타입에 따른 eV) 또한 SiC를 순수 유형의 탁월한 전기 절연체로 만듭니다., 특수 디지털 도구에서 반도체로 기능하도록 도핑될 수 있지만.
1.2 세라믹 플레이트의 미세구조 및 스테이지 순도
탄화규소 세라믹 플레이트의 성능은 입자 크기와 같은 미세 구조적 특징에 따라 결정됩니다., 두께, 무대 동질성, 추가 단계 또는 오염의 존재.
고급 플레이트는 일반적으로 정교한 소결 방법을 사용하여 서브미크론 또는 나노 규모의 SiC 분말로 제작됩니다., 미세한 입자를 일으키는, 기계적 인성과 열 전도성을 극대화하는 완전히 조밀한 미세 구조.
무료 탄소와 같은 오염, 규토 (시오 2), 또는 붕소나 경량 알루미늄과 같은 소결 보조제는 철저히 규제되어야 합니다., 고온 내구성과 내산화성을 낮추는 입계 피막을 형성할 수 있기 때문입니다..
반복되는 다공성, 또한 감소된 각도에서 (
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