Սիլիկոնային կարբիդ կերամիկական թիթեղներ: Բացառիկ ջերմային բարձր ջերմաստիճանի կառուցվածքային նյութեր, Մեխանիկական, և շրջակա միջավայրի կայունության ալյումինե աղյուսներ

1. Սիլիցիումի կարբիդի բյուրեղագրություն և նյութական հիմունքներ

1.1 Պոլիմորֆիզմը և ատոմային կապը SiC-ում

(Սիլիկոնային կարբիդ կերամիկական թիթեղներ)

Սիլիցիումի կարբիդ (SiC) կովալենտ կերամիկական նյութ է, որը կազմված է սիլիցիումի և ածխածնի ատոմներից ա 1:1 ստոյխիոմետրիկ հարաբերակցությունը, բացահայտվում է իր բացառիկ պոլիմորֆիզմով– ավարտվել է 250 հայտնի բազմատեսակները– բոլորը կիսում են պինդ ուղղորդված կովալենտային կապերը, բայց տարբերվում են Si-C երկշերտների կույտային շարքերում.

Ամենաբարձր համապատասխան բազմատեսակներից մեկը 3C-SiC-ն է (խորանարդ ցինկի խառնուրդի շրջանակ), և վեցանկյուն տեսակները՝ 4H-SiC և 6H-SiC, յուրաքանչյուրը ցուցադրում է bandgap-ի նուրբ տատանումները, էլեկտրոնների շարժունակություն, և ջերմային հաղորդունակությունը, որոնք ազդում են դրանց համապատասխանության վրա մանրամասների կիրառման համար.

Սի-ի կոշտությունը– C կապ, կապի էներգիայով մոտավորապես 318 կՋ/մոլ, հիմքում է SiC-ի ուշագրավ ամրությունը (Մոհս պինդությունը 9– 9.5), բարձր հալեցման գործակից (~ 2700 ° C), և դիմադրություն քիմիական ոչնչացմանը և ջերմային ցնցմանը.

Կերամիկական ափսեներում, պոլիտիպը սովորաբար ընտրվում է նախատեսված օգտագործման հիման վրա: 6H-SiC-ը գերակշռում է ճարտարապետական ​​կիրառություններում՝ իր սինթեզի հարմարության արդյունքում, մինչդեռ 4H-SiC-ը վերահսկում է բարձր հզորության էլեկտրոնիկայի մեջ իր բարձր վարձավճարով սայլակի համար.

Լայն տիրույթ (2.9– 3.3 eV կախված պոլիտիպից) լրացուցիչ SiC-ը դարձնում է բացառիկ էլեկտրական մեկուսիչ իր մաքուր տեսակի մեջ, թեև այն կարող է դոպինգավորվել՝ մասնագիտացված թվային գործիքներում որպես կիսահաղորդիչ գործելու համար.

1.2 Կերամիկական սալերի միկրոկառուցվածքը և աստիճանի մաքրությունը

Սիլիցիումի կարբիդային կերամիկական թիթեղների աշխատանքը խիստ կախված է միկրոկառուցվածքային առանձնահատկություններից, ինչպիսիք են հատիկի չափը, հաստությունը, փուլային միատարրություն, և լրացուցիչ փուլերի կամ աղտոտումների առկայությունը.

Բարձրորակ թիթեղները սովորաբար արտադրվում են ենթամիկրոնային կամ նանոմաշտաբով SiC փոշիներից՝ սինթրման բարդ մեթոդներով։, առաջացնելով մանրահատիկ, ամբողջովին խիտ միկրոկառուցվածքներ, որոնք առավելագույնի են հասցնում մեխանիկական ամրությունը և ջերմային հաղորդունակությունը.

Աղտոտումներ, ինչպիսիք են հավելյալ ածխածինը, սիլիցիում (SiO ԵՐԿՈՒ), կամ սինթրման օգնությունը, ինչպիսին է բորը կամ թեթև ալյումինը, պետք է մանրակրկիտ կարգավորվեն, քանի որ դրանք կարող են ձևավորել միջհատիկավոր թաղանթներ, որոնք նվազեցնում են բարձր ջերմաստիճանի դիմացկունությունը և օքսիդացման դիմադրությունը.

Կրկնվող ծակոտկենություն, նաև նվազեցված աստիճաններով (

Advanced Ceramics-ը հիմնադրվել է հոկտեմբերին 17, 2012, բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է, որը նվիրված է հետազոտության և զարգացմանը, արտադրություն, վերամշակում, կերամիկական հարաբերական նյութերի վաճառք և տեխնիկական ծառայություններ, ինչպիսիք են սիլիկոնային կարբիդ կերամիկական թիթեղները. Մեր արտադրանքը ներառում է, բայց չի սահմանափակվում բորի կարբիդի կերամիկական արտադրանքներով, Բորի նիտրիդ կերամիկական արտադրանք, Սիլիկոնային կարբիդ կերամիկական արտադրանք, Սիլիկոնային նիտրիդային կերամիկական արտադրանք, Ցիրկոնիումի երկօքսիդի կերամիկական արտադրանք, և այլն. Եթե ​​դուք հետաքրքրված եք, խնդրում ենք ազատ զգալ կապվել մեզ հետ.
Պիտակներ: սիլիցիումի կարբիդի ափսե,կարբիդային ափսե,սիլիցիումի կարբիդ թերթ

Բոլոր հոդվածները և նկարները համացանցից են. Եթե ​​կան հեղինակային իրավունքի հետ կապված խնդիրներ, խնդրում ենք ժամանակին կապվել մեզ հետ ջնջելու համար.

Հարցրեք մեզ