Սիլիկոնային կարբիդ կերամիկական թիթեղներ: Բացառիկ ջերմային բարձր ջերմաստիճանի կառուցվածքային նյութեր, Մեխանիկական, և շրջակա միջավայրի կայունության ալյումինե աղյուսներ

1. Սիլիցիումի կարբիդի բյուրեղագրություն և նյութական հիմունքներ

1.1 Պոլիմորֆիզմը և ատոմային կապը SiC-ում

(Սիլիկոնային կարբիդ կերամիկական թիթեղներ)

Սիլիցիումի կարբիդ (SiC) is a covalent ceramic substance made up of silicon and carbon atoms in a 1:1 stoichiometric ratio, identified by its exceptional polymorphism– ավարտվել է 250 known polytypes– all sharing solid directional covalent bonds but varying in piling series of Si-C bilayers.

One of the most highly appropriate polytypes are 3C-SiC (cubic zinc blende framework), և վեցանկյուն տեսակները՝ 4H-SiC և 6H-SiC, each displaying subtle variations in bandgap, electron mobility, and thermal conductivity that affect their suitability for details applications.

Սի-ի կոշտությունը– C կապ, with a bond energy of roughly 318 կՋ/մոլ, underpins SiC’s remarkable solidity (Մոհս պինդությունը 9– 9.5), բարձր հալեցման գործակից (~ 2700 ° C), and resistance to chemical destruction and thermal shock.

Կերամիկական ափսեներում, the polytype is commonly selected based upon the intended usage: 6H-SiC prevails in architectural applications as a result of its convenience of synthesis, while 4H-SiC controls in high-power electronics for its superior fee provider wheelchair.

The broad bandgap (2.9– 3.3 eV կախված պոլիտիպից) additionally makes SiC an exceptional electric insulator in its pure type, though it can be doped to function as a semiconductor in specialized digital tools.

1.2 Կերամիկական սալերի միկրոկառուցվածքը և աստիճանի մաքրությունը

The performance of silicon carbide ceramic plates is critically depending on microstructural features such as grain size, հաստությունը, փուլային միատարրություն, and the existence of additional stages or contaminations.

High-grade plates are usually fabricated from submicron or nanoscale SiC powders with sophisticated sintering methods, առաջացնելով մանրահատիկ, totally dense microstructures that maximize mechanical toughness and thermal conductivity.

Contaminations such as complimentary carbon, սիլիցիում (SiO ԵՐԿՈՒ), or sintering help like boron or light weight aluminum have to be thoroughly regulated, as they can form intergranular films that lower high-temperature stamina and oxidation resistance.

Recurring porosity, also at reduced degrees (

Advanced Ceramics-ը հիմնադրվել է հոկտեմբերին 17, 2012, բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է, որը նվիրված է հետազոտության և զարգացմանը, արտադրություն, վերամշակում, կերամիկական հարաբերական նյութերի վաճառք և տեխնիկական ծառայություններ, ինչպիսիք են սիլիկոնային կարբիդ կերամիկական թիթեղները. Մեր արտադրանքը ներառում է, բայց չի սահմանափակվում բորի կարբիդի կերամիկական արտադրանքներով, Բորի նիտրիդ կերամիկական արտադրանք, Սիլիկոնային կարբիդ կերամիկական արտադրանք, Սիլիկոնային նիտրիդային կերամիկական արտադրանք, Ցիրկոնիումի երկօքսիդի կերամիկական արտադրանք, և այլն. Եթե ​​դուք հետաքրքրված եք, խնդրում ենք ազատ զգալ կապվել մեզ հետ.
Պիտակներ: սիլիցիումի կարբիդի ափսե,կարբիդային ափսե,սիլիցիումի կարբիդ թերթ

Բոլոր հոդվածները և նկարները համացանցից են. Եթե ​​կան հեղինակային իրավունքի հետ կապված խնդիրներ, խնդրում ենք ժամանակին կապվել մեզ հետ ջնջելու համար.

Հարցրեք մեզ