riba .wrapper { background-color: #f9fafb; }

1. Kristalografia i Material Básiko di Karburo di Silikon

1.1 Polimorfismo i Enlase Atómiko den SiC


(Plachinan di seramika di karburo di silikon)

Karburo di silikon (SiC) ta un supstansia di serámika kovalente trahá di atòmnan di silikon i karbon den un 1:1 relashon stoikiométriko, identifiká pa su polimorfismo eksepshonal– pasá 250 politiponan konosí– tur ta kompartí vínkulonan kovalente direkshonal sólido pero ta varia den seri di piling di Si-C bilayers.

Un di e politiponan mas altamente apropiá ta 3C-SiC (kuadro di meskla di zink kúbiko), i e tiponan heksagonal 4H-SiC i 6H-SiC, kada un ta mustra variashonnan sutil den bandgap, mobilidat di elektrón, i konduktividat termal ku ta afektá nan adecuashon pa aplikashonnan di detaye.

E dureza di e Si– C bond, ku un energia di vínkulo di mas o ménos 318 kJ/mol, ta sostené e solides remarkabel di SiC (Solides di Mohs di 9– 9.5), faktor haltu di smelt (~ 2700 ° C), i resistensia na destrukshon kímiko i shòk termal.

Den plachinan di seramika, e politipo ta wòrdu selektá komunmente a base di e uso intenshoná: 6H-SiC ta prevalesé den aplikashonnan arkitektóniko komo resultado di su komodidat di síntesis, miéntras ku 4H-SiC ta kontrolá den elektróniko di alto poder pa su stul di ròl di proveedó di tarifa superior.

E bandgap amplio (2.9– 3.3 eV dependiendo di politipo) adishonalmente ta hasi SiC un isoladó eléktriko eksepshonal den su tipo puru, ounke e por wòrdu dopá pa funshoná komo un semikonduktor den hèrmèntnan digital spesialisá.

1.2 Mikrostruktura i puresa di etapa den plachinan di seramika

E rendimentu di plachinan di serámika di karburo di silikon ta dependé kritikamente di karakterístika mikrostruktural manera tamaño di grano, diki, homogenidat di etapa, i e eksistensia di etapanan òf kontaminashonnan adishonal.

Plachinan di kalidat haltu ta wòrdu fabriká generalmente for di polvonan di SiC submikron òf nanoeskala ku métodonan di sinterisashon sofistiká, kousa grano fini, mikrostrukturanan totalmente denso ku ta maksimisá duru mekaniko i konduktividat termal.

Kontaminashonnan manera karbon komplementario, sílika (SiO DOS), òf yudansa di sinterisashon manera boron òf aluminio lihé mester ta kompletamente regulá, ya ku nan por forma pelíkulanan intergranular ku ta baha resistensia na temperatura haltu i resistensia na oksidashon.

Porosidat rekurente, tambe na gradonan redusí (

Advanced Ceramics a wòrdu fundá riba 20 di òktober 17, 2012, ta un empresa di teknologia haltu komprometé na e investigashon i desaroyo, produkshon, prosesamentu, benta i servisio tékniko di materialnan relativo di seramika manera Plachinan di Seramika di Karburo di Silikon. Nos produktonan ta inkluí pero no limitá na Produktonan di Seramika di Karburo di Boro, Produktonan di seramika di nitruro di boro, Produktonan di seramika di karburo di silikon, Produktonan di seramika di nitruro di silikon, Produktonan di seramika di dióksido di zirkonio, etc. Si bo ta interesá, por fabor sinti bo liber pa tuma kontakto ku nos.
Tags: plachi di karburo di silikon,plachi di karburo,blachi di karburo di silikon

Tur artíkulo i potrèt ta for di Internèt. Si tin kualke problema di derecho di outor, por tuma kontakto ku nos na tempu pa delete.

Konsulta nos



    Dor di admin

    Laga un Kontesta