. .wrapper { background-color: #f9fafb; }

1. Кристаллография һәм карбид кремнийының матди принциптары

1.1 SiC-та полиморфизм һәм атом бәйләнеше


(Кремний карбиды керамик пластиналар)

Кремний карбиды (SiC) - кремний һәм углерод атомдарынан торған ковалент керамик берләшмә. 1:1 стехиометрик нисбәт, иҫ киткес полиморфизмы менән айырылып тора– өҫтөндә 250 билдәле политиптар– бөтәһе лә көслө йүнәлешле ковалент бәйләнештәрҙе бүлешә, әммә Si-C ике ҡатламдарының штабелләшеү серияһында төрлөсә.

Технологик яҡтан иң актуаль политиптарының береһе булып 3С-SiC тора. (куб цинк ҡатнашмаһы структураһы), һәм алты мөйөшлө 4Н-SiC һәм 6Н-SiC төрҙәре, Һәр береһе диапазон арауығында рафинацияланған үҙгәрештәрҙе күрһәтә, электрон һығылмалылығы, һәм йылылыҡ үткәреүсәнлеге, уларҙы айырым ҡулланыу өсөн йәшәүсәнлеккә йоғонто яһай.

Ҡатылыҡ Си .– С бәйләнеше, тирәһе бәйләнеш ҡөҙрәте менән 318 кДж/моль, нигеҙендә SiC’s феноменаль ныҡлыҡ (Моос ҡатылығы 9– 9.5), юғары иретеү коэффициенты (~ 2700 ° С), һәм химик деградацияға һәм термик шокҡа ҡаршы тороусанлыҡ.

Керамик пластиналарҙа ., Ғөмүмән, политип уртаса ҡулланыу нигеҙендә һайлана: 6H-SiC синтезлау еңеллеге арҡаһында архитектура ҡулланыуҙа өҫтөнлөк итә, ә 4H-SiC юғары ҡөҙрәтле электроникала үҙенең ғәҙәттән тыш түләү ташыусы һығылмалылығы өсөн өҫтөнлөк итә.

Ҙур диапазон арауығы (2.9– 3.3 эВ политипҡа бәйле) шулай уҡ SiC-ты үҙенең таҙа формаһында шәп электр изоляторы итә, махсус электрон ҡоралдарҙа ярымүткәргес булып эшләү өсөн легирланырға мөмкин булһа ла.

1.2 Микроструктура һәм керамик плиталарҙа сәхнә таҙалығы

Һөҙөмтәлелеге карбид кремний керамик пластиналар тәнҡитле микроструктур атрибуттарына бәйле, мәҫәлән, бөртөк үлсәме ., ҡалынлығы, этап бер төрлөлөгө, һәм икенсел этаптар йәки ҡушылмалар күренеше.

Юғары сортлы пластиналар, ғәҙәттә, субмикрон йәки наномасштаблы SiC порошоктарынан алдынғы агломерация ысулдары ярҙамында эшләнә ., ваҡ бөртөклө тыуҙырыусы, механик ныҡлыҡты һәм йылылыҡ үткәреүсәнлеген оптималләштереүсе тулыһынса тығыҙ микроструктуралар.

Комплиментлы углерод кеүек бысратыусылар, кремний (SiO 2), йәки агломерация ярҙам кеүек бор йәки алюминий һаҡсыл контролдә тоторға тейеш, сөнки улар юғары температурала ныҡлыҡты һәм окисланыуға ҡаршы тороусанлыҡты кәметкән бөртөктәр араһындағы пленкалар барлыҡҡа килтерә ала.

Ҡалдыҡ ҡыуышлыҡ, хатта түбән кимәлдә лә (

«Адванс керамик» компанияһына 1 октябрҙә нигеҙ һалынған. 17, 2012, тикшеренеүҙе һәм эшләүҙе үҙ өҫтөнә алған юғары технологиялы предприятие булып тора, етештереү, эшкәртеү, һатыу һәм техник хеҙмәттәр күрһәтеү керамика сағыштырмаса материалдар, мәҫәлән, карбид кремний керамик пластиналар. Беҙҙең продукция үҙ эсенә ала, әммә сикләнмәй бор карбиды керамика продукцияһы, Бор нитриды керамика изделиелары, Кремний карбиды керамика изделиелары, Кремний нитриды керамика изделиелары, Цирконий диоксиды керамика изделиелары, һ. б.. Ҡыҙыҡһыныу булһа, рәхим итеп, беҙҙең менән бәйләнешкә инегеҙ.
Тегтар: карбид кремний пластинаһы,карбид пластинаһы,карбид кремний листы

Бөтә мәҡәләләр һәм һүрәттәр интернеттан алынған .. Әгәр ниндәй ҙә булһа авторлыҡ хоҡуғы мәсьәләләре, зинһар, беҙҙең менән бәйләнешкә инеү өсөн ваҡытында юйырға.

Беҙгә һорау бирегеҙ



    Янында админ

    Яуап ҡалдырырға