সিলিকন কার্বাইড সিরামিক প্লেট: ব্যতিক্রমী থার্মাল সহ উচ্চ-তাপমাত্রার কাঠামোগত উপকরণ, যান্ত্রিক, এবং পরিবেশগত স্থিতিশীলতা অ্যালুমিনা ইট

1. সিলিকন কার্বাইডের ক্রিস্টালোগ্রাফি এবং উপাদানের নীতি

1.1 SiC-তে পলিমরফিজম এবং পারমাণবিক বন্ধন

(সিলিকন কার্বাইড সিরামিক প্লেট)

সিলিকন কার্বাইড (SiC) একটি সমযোজী সিরামিক যৌগ যা একটি সিলিকন এবং কার্বন পরমাণু দ্বারা গঠিত 1:1 stoichiometric অনুপাত, এর আশ্চর্যজনক পলিমারফিজম দ্বারা আলাদা– ওভার 250 সুপরিচিত পলিটাইপ– সকলেই শক্তিশালী দিকনির্দেশক সমযোজী বন্ধন ভাগ করে কিন্তু Si-C বাইলেয়ারের স্ট্যাকিং সিরিজে পরিবর্তিত হয়.

সবচেয়ে প্রযুক্তিগতভাবে প্রাসঙ্গিক পলিটাইপগুলির মধ্যে একটি হল 3C-SiC (ঘন দস্তা মিশ্রণ গঠন), এবং ষড়ভুজ প্রকার 4H-SiC এবং 6H-SiC, প্রতিটি ব্যান্ডগ্যাপে পরিমার্জিত বৈচিত্র দেখাচ্ছে, ইলেক্ট্রন নমনীয়তা, এবং তাপ পরিবাহিতা যা নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনের জন্য তাদের কার্যকারিতা প্রভাবিত করে.

সি এর দৃঢ়তা– সি বন্ড, চারপাশে একটি বন্ধন শক্তি সঙ্গে 318 kJ/mol, SiC এর অসাধারণ দৃঢ়তাকে আন্ডারপিন করে (মোহস দৃঢ়তা 9– 9.5), উচ্চ গলন ফ্যাক্টর (~ 2700 °সে), এবং রাসায়নিক অবক্ষয় এবং তাপীয় শক প্রতিরোধ.

সিরামিক প্লেটে, পলিটাইপটি সাধারণত ব্যবহৃত ব্যবহারের উপর ভিত্তি করে নির্বাচন করা হয়: 6H-SiC এর সংশ্লেষণের সহজতার কারণে আর্কিটেকচারাল অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে বিরাজ করে, যখন 4H-SiC তার ব্যতিক্রমী ফি ক্যারিয়ার নমনীয়তার জন্য উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক্সে প্রাধান্য পায়.

বড় ব্যান্ডগ্যাপ (2.9– 3.3 eV পলিটাইপের উপর নির্ভর করে) এছাড়াও SiC কে তার বিশুদ্ধ আকারে একটি চমৎকার বৈদ্যুতিক নিরোধক করে তোলে, যদিও এটি বিশেষ ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে সেমিকন্ডাক্টর হিসাবে কাজ করার জন্য ডোপ করা যেতে পারে.

1.2 সিরামিক প্লেটে মাইক্রোস্ট্রাকচার এবং স্টেজের বিশুদ্ধতা

সিলিকন কার্বাইড সিরামিক প্লেটের কার্যকারিতা শস্যের মাত্রার মতো মাইক্রোস্ট্রাকচারাল বৈশিষ্ট্যের উপর সমালোচনামূলকভাবে নির্ভরশীল, বেধ, পর্যায় একজাতীয়তা, এবং গৌণ পর্যায় বা অমেধ্য দৃশ্যমানতা.

উচ্চ-গ্রেড প্লেটগুলি সাধারণত উন্নত সিন্টারিং পদ্ধতির মাধ্যমে সাবমাইক্রন বা ন্যানোস্কেল SiC পাউডার থেকে তৈরি করা হয়, সূক্ষ্ম দানা সৃষ্টিকারী, সম্পূর্ণ ঘন মাইক্রোস্ট্রাকচার যা যান্ত্রিক শক্তি এবং তাপ পরিবাহিতা অপ্টিমাইজ করে.

দূষণকারী যেমন কমপ্লিমেন্টারি কার্বন, সিলিকা (SiO ₂), বা বোরন বা অ্যালুমিনিয়ামের মতো সিন্টারিং সাহায্য সাবধানে নিয়ন্ত্রণ করতে হবে, যেহেতু তারা আন্তঃগ্রানুলার চলচ্চিত্র তৈরি করতে পারে যা উচ্চ-তাপমাত্রার শক্তি এবং জারণ প্রতিরোধ ক্ষমতা হ্রাস করে.

অবশিষ্ট porosity, এমনকি নিম্ন স্তরে (

অক্টোবরে প্রতিষ্ঠিত উন্নত সিরামিক 17, 2012, গবেষণা এবং উন্নয়নের জন্য প্রতিশ্রুতিবদ্ধ একটি উচ্চ প্রযুক্তির উদ্যোগ, উত্পাদন, প্রক্রিয়াকরণ, সিরামিক আপেক্ষিক উপকরণ যেমন সিলিকন কার্বাইড সিরামিক প্লেটের বিক্রয় এবং প্রযুক্তিগত পরিষেবা. আমাদের পণ্য বোরন কার্বাইড সিরামিক পণ্য অন্তর্ভুক্ত কিন্তু সীমাবদ্ধ নয়, বোরন নাইট্রাইড সিরামিক পণ্য, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক পণ্য, সিলিকন নাইট্রাইড সিরামিক পণ্য, জিরকোনিয়াম ডাই অক্সাইড সিরামিক পণ্য, ইত্যাদি. আপনি আগ্রহী হলে, আমাদের সাথে যোগাযোগ বিনা দ্বিধায় দয়া করে.
ট্যাগ: সিলিকন কার্বাইড প্লেট,কার্বাইড প্লেট,সিলিকন কার্বাইড শীট

সমস্ত নিবন্ধ এবং ছবি ইন্টারনেট থেকে প্রাপ্ত. কোন কপিরাইট সমস্যা আছে, মুছে ফেলার সময় আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন.

আমাদের তদন্ত