1. Crystallography a Material Prinzipien vun Silicon Carbide
1.1 Polymorphismus an Atomverbindung am SiC
(Silicon Carbide Keramik Placke)
Siliziumkarbid (SiC) ass eng kovalent Keramikverbindung aus Silizium a Kuelestoffatome an engem 1:1 stoichiometreschen Undeel, ënnerscheet sech duerch seng erstaunlech Polymorphismus– iwwer 250 bekannt polytypes– all deelen staark directional kovalent Obligatiounen mee variéieren an stacking Serie vun Si-C bilayers.
Ee vun de meescht technologesch relevant polytypes sinn 3C-SiC (kubesch Zink Blend Struktur), an déi sechseckeg Aarte 4H-SiC a 6H-SiC, all weist raffinéiert Variatiounen am bandgap, Elektronen Flexibilitéit, an thermesch Konduktivitéit déi hir Viabilitéit fir speziell Uwendungen beaflossen.
D'Zähegkeet vun der Si– C Bond, mat enger Bindung Muecht vun ronn 318 kJ/mol, ënnersträicht dem SiC seng phänomenal Festlechkeet (Mohs Soliditéit vun 9– 9.5), héije Schmelzfaktor (~ 2700 °C), a Resistenz géint chemesch Degradatioun an thermesche Schock.
An Keramik Placke, de polytype ass allgemeng ausgewielt baséiert op der gemengt Benotzung: 6H-SiC herrscht an architektoneschen Uwendungen wéinst senger Einfachheet vun der Synthese, wärend 4H-SiC dominéiert an der High-Power Elektronik fir seng aussergewéinlech Fraisentransporter Flexibilitéit.
Déi grouss Bandgap (2.9– 3.3 eV ofhängeg vum Polytyp) mécht och SiC en exzellenten elektreschen Isolator a senger reiner Form, obwuel et kann dotéiert ginn als semiconductor an spezialiséiert elektronesch Handwierksgeschir ze Funktioun.
1.2 Mikrostruktur a Bühnreinheet a Keramikplacke
D'Effizienz vu Siliziumkarbid Keramikplacke ass kritesch ofhängeg vu mikrostrukturellen Attributer wéi d'Korndimensioun, deck, Etapp Homogenitéit, an d'Visibilitéit vu sekundären Etappen oder Gëftstoffer.
Héichwäerteg Placke ginn normalerweis aus submikron oder nanoskala SiC Puder iwwer fortgeschratt Sintermethoden fabrizéiert, feinkorneg verursaacht, komplett dichte Mikrostrukturen déi mechanesch Kraaft an thermesch Konduktivitéit optimiséieren.
Pollutanten wéi gratis Kuelestoff, Silica (SiO ₂), oder Sinterhëllef wéi Bor oder Aluminium musse suergfälteg kontrolléiert ginn, well se intergranulär Filmer bilden, déi d'Héichtemperaturkraaft an d'Oxidatiounsresistenz erofsetzen.
Rescht Porositéit, souguer op nidderegen Niveauen (
Fortgeschratt Keramik gegrënnt am Oktober 17, 2012, ass eng High-Tech Entreprise engagéiert fir Fuerschung an Entwécklung, Produktioun, Veraarbechtung, Verkaf an technesch Servicer vun Keramik relativ Materialien wéi Silicon Carbide Keramik Platen. Eis Produkter enthalen awer net limitéiert op Boron Carbide Keramik Produkter, Boron Nitrid Keramik Produkter, Silicon Carbide Keramik Produkter, Silicon Nitrid Keramik Produkter, Zirkoniumdioxid Keramik Produkter, etc. Wann Dir interesséiert sidd, weg fillen gratis eis ze kontaktéieren.
Tags: Siliziumkarbidplack,Karbidplack,Siliziumkarbidblech
All Artikelen a Biller sinn vum Internet. Wann et Copyright Problemer, weg Kontakt eis an Zäit ze läschen.
Frot eis un