1. Кристаллография ва Принсипҳои моддии карбиди кремний
1.1 Полиморфизм ва пайванди атомӣ дар SiC
(Плитаҳои сафолии кремний карбиди)
Карбиди кремний (SiC) is a covalent ceramic compound made up of silicon and carbon atoms in a 1:1 stoichiometric proportion, distinguished by its amazing polymorphism– бар 250 well-known polytypes– all sharing strong directional covalent bonds but varying in stacking series of Si-C bilayers.
One of the most technologically relevant polytypes are 3C-SiC (cubic zinc blende structure), ва навъҳои шашкунҷаи 4H-SiC ва 6H-SiC, each showing refined variations in bandgap, electron flexibility, and thermal conductivity that influence their viability for particular applications.
Сахтии Си– C вомбарг, with a bond power of around 318 кҶ/мол, underpins SiC’s phenomenal firmness (устувории Mohs 9– 9.5), омили обшавии баланд (~ 2700 ° C), and resistance to chemical degradation and thermal shock.
Дар лавҳаҳои сафолӣ, the polytype is generally selected based upon the meant use: 6H-SiC prevails in architectural applications due to its ease of synthesis, while 4H-SiC dominates in high-power electronics for its exceptional fee carrier flexibility.
The large bandgap (2.9– 3.3 eV depending upon polytype) also makes SiC an excellent electrical insulator in its pure form, though it can be doped to function as a semiconductor in specialized electronic tools.
1.2 Микросохтор ва тозагии марҳила дар плитаҳои сафолӣ
The efficiency of silicon carbide ceramic plates is critically dependent on microstructural attributes such as grain dimension, ғафсӣ, якхела будани марҳила, and the visibility of secondary stages or impurities.
High-grade plates are usually fabricated from submicron or nanoscale SiC powders via advanced sintering methods, боиси майда-чуйда мегардад, completely dense microstructures that optimize mechanical strength and thermal conductivity.
Pollutants such as complimentary carbon, кремний (SiO ₂), or sintering help like boron or aluminum have to be carefully controlled, as they can form intergranular movies that decrease high-temperature strength and oxidation resistance.
Residual porosity, even at low levels (
Advanced Ceramics моҳи октябр таъсис ёфтааст 17, 2012, як корхонаи баландтехнологӣ мебошад, ки ба тадқиқот ва рушд нигаронида шудааст, истехсолот, коркард, фурӯш ва хидматрасонии техникии маводи нисбии сафолӣ ба монанди плитаҳои сафолии кремний карбиди. Маҳсулоти мо Маҳсулоти керамикии бор карбидро дар бар мегирад, аммо бо ин маҳдуд намешавад, Маҳсулоти керамикии бор нитриди, Маҳсулоти сафолӣ кремний карбиди, Маҳсулоти сафолӣ кремний нитриди, Маҳсулоти сафолии диоксиди цирконий, ва гайра. Агар шумо таваҷҷӯҳ дошта бошед, лутфан бо мо дар тамос шавед.
Тегҳо: плитаи карбиди кремний,плитаи карбид,варақаи карбиди кремний
Ҳама мақолаҳо ва тасвирҳо аз Интернет мебошанд. Агар ягон масъалаи ҳуқуқи муаллиф вуҷуд дошта бошад, лутфан бо мо дар вақти барои нест кардани.
Моро пурсед