1. Crystallography and Material Principles of Silicon Carbide
1.1 SiCలో పాలిమార్ఫిజం మరియు అటామిక్ బాండింగ్
(సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ప్లేట్లు)
సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) is a covalent ceramic compound made up of silicon and carbon atoms in a 1:1 stoichiometric proportion, distinguished by its amazing polymorphism– పైగా 250 well-known polytypes– all sharing strong directional covalent bonds but varying in stacking series of Si-C bilayers.
One of the most technologically relevant polytypes are 3C-SiC (cubic zinc blende structure), మరియు షట్కోణ రకాలు 4H-SiC మరియు 6H-SiC, each showing refined variations in bandgap, electron flexibility, and thermal conductivity that influence their viability for particular applications.
Si యొక్క దృఢత్వం– సి బాండ్, with a bond power of around 318 kJ/mol, underpins SiC’s phenomenal firmness (మొహ్స్ ఘనత 9– 9.5), అధిక ద్రవీభవన కారకం (~ 2700 ° C), and resistance to chemical degradation and thermal shock.
సిరామిక్ ప్లేట్లలో, the polytype is generally selected based upon the meant use: 6H-SiC prevails in architectural applications due to its ease of synthesis, while 4H-SiC dominates in high-power electronics for its exceptional fee carrier flexibility.
The large bandgap (2.9– 3.3 eV depending upon polytype) also makes SiC an excellent electrical insulator in its pure form, though it can be doped to function as a semiconductor in specialized electronic tools.
1.2 సిరామిక్ ప్లేట్లలో మైక్రోస్ట్రక్చర్ మరియు స్టేజ్ ప్యూరిటీ
The efficiency of silicon carbide ceramic plates is critically dependent on microstructural attributes such as grain dimension, మందం, దశ సజాతీయత, and the visibility of secondary stages or impurities.
High-grade plates are usually fabricated from submicron or nanoscale SiC powders via advanced sintering methods, దీనివల్ల సన్నగా ఉంటుంది, completely dense microstructures that optimize mechanical strength and thermal conductivity.
Pollutants such as complimentary carbon, సిలికా (SiO ₂), or sintering help like boron or aluminum have to be carefully controlled, as they can form intergranular movies that decrease high-temperature strength and oxidation resistance.
Residual porosity, even at low levels (
అధునాతన సిరామిక్స్ అక్టోబర్లో స్థాపించబడింది 17, 2012, పరిశోధన మరియు అభివృద్ధికి కట్టుబడి ఉన్న హైటెక్ సంస్థ, ఉత్పత్తి, ప్రాసెసింగ్, సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ప్లేట్లు వంటి సిరామిక్ సంబంధిత పదార్థాల విక్రయాలు మరియు సాంకేతిక సేవలు. మా ఉత్పత్తులు బోరాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులకు మాత్రమే పరిమితం కాకుండా ఉంటాయి, బోరాన్ నైట్రైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, సిలికాన్ నైట్రైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, జిర్కోనియం డయాక్సైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, మొదలైనవి. మీకు ఆసక్తి ఉంటే, దయచేసి మమ్మల్ని సంప్రదించడానికి సంకోచించకండి.
ట్యాగ్లు: సిలికాన్ కార్బైడ్ ప్లేట్,కార్బైడ్ ప్లేట్,సిలికాన్ కార్బైడ్ షీట్
అన్ని వ్యాసాలు మరియు చిత్రాలు ఇంటర్నెట్ నుండి వచ్చినవి. ఏదైనా కాపీరైట్ సమస్యలు ఉంటే, దయచేసి తొలగించడానికి సమయానికి మమ్మల్ని సంప్రదించండి.
మమ్మల్ని విచారించండి