సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ప్లేట్లు: అసాధారణమైన థర్మల్‌తో అధిక-ఉష్ణోగ్రత నిర్మాణ వస్తువులు, మెకానికల్, మరియు పర్యావరణ స్థిరత్వం అల్యూమినా ఇటుకలు

1. సిలికాన్ కార్బైడ్ యొక్క క్రిస్టల్లాగ్రఫీ మరియు మెటీరియల్ ప్రిన్సిపల్స్

1.1 SiCలో పాలిమార్ఫిజం మరియు అటామిక్ బాండింగ్

(సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ప్లేట్లు)

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) a లో సిలికాన్ మరియు కార్బన్ పరమాణువులతో తయారు చేయబడిన సమయోజనీయ సిరామిక్ సమ్మేళనం 1:1 స్టోయికియోమెట్రిక్ నిష్పత్తి, దాని అద్భుతమైన పాలిమార్ఫిజం ద్వారా వేరు చేయబడింది– పైగా 250 ప్రసిద్ధ పాలీటైప్‌లు– అన్నీ బలమైన దిశాత్మక సమయోజనీయ బంధాలను పంచుకుంటాయి కానీ Si-C బిలేయర్‌ల స్టాకింగ్ సిరీస్‌లో మారుతూ ఉంటాయి.

అత్యంత సాంకేతికంగా సంబంధిత పాలిటైప్‌లలో ఒకటి 3C-SiC (క్యూబిక్ జింక్ మిశ్రమం నిర్మాణం), మరియు షట్కోణ రకాలు 4H-SiC మరియు 6H-SiC, ప్రతి ఒక్కటి బ్యాండ్‌గ్యాప్‌లో శుద్ధి చేసిన వైవిధ్యాలను చూపుతుంది, ఎలక్ట్రాన్ వశ్యత, మరియు నిర్దిష్ట అనువర్తనాల కోసం వాటి సాధ్యతను ప్రభావితం చేసే ఉష్ణ వాహకత.

Si యొక్క దృఢత్వం– సి బాండ్, చుట్టూ బంధం శక్తితో 318 kJ/mol, SiC యొక్క అసాధారణ దృఢత్వాన్ని బలపరుస్తుంది (మొహ్స్ ఘనత 9– 9.5), అధిక ద్రవీభవన కారకం (~ 2700 ° C), మరియు రసాయన క్షీణత మరియు థర్మల్ షాక్‌కు నిరోధకత.

సిరామిక్ ప్లేట్లలో, పాలీటైప్ సాధారణంగా ఉపయోగం ఆధారంగా ఎంపిక చేయబడుతుంది: 6H-SiC సంశ్లేషణ సౌలభ్యం కారణంగా ఆర్కిటెక్చరల్ అప్లికేషన్‌లలో ప్రబలంగా ఉంది, 4H-SiC దాని అసాధారణమైన ఫీజు క్యారియర్ సౌలభ్యం కోసం అధిక-పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్‌లో ఆధిపత్యం చెలాయిస్తుంది.

పెద్ద బ్యాండ్‌గ్యాప్ (2.9– 3.3 eV పాలీటైప్‌పై ఆధారపడి ఉంటుంది) SiC ని దాని స్వచ్ఛమైన రూపంలో ఒక అద్భుతమైన విద్యుత్ అవాహకం చేస్తుంది, ప్రత్యేక ఎలక్ట్రానిక్ టూల్స్‌లో సెమీకండక్టర్‌గా పనిచేయడానికి దీనిని డోప్ చేయవచ్చు.

1.2 సిరామిక్ ప్లేట్లలో మైక్రోస్ట్రక్చర్ మరియు స్టేజ్ ప్యూరిటీ

సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ప్లేట్‌ల సామర్థ్యం ధాన్యం పరిమాణం వంటి సూక్ష్మ నిర్మాణ లక్షణాలపై విమర్శనాత్మకంగా ఆధారపడి ఉంటుంది., మందం, దశ సజాతీయత, మరియు ద్వితీయ దశలు లేదా మలినాలు దృశ్యమానత.

హై-గ్రేడ్ ప్లేట్లు సాధారణంగా సబ్‌మిక్రాన్ లేదా నానోస్కేల్ SiC పౌడర్‌ల నుండి అధునాతన సింటరింగ్ పద్ధతుల ద్వారా తయారు చేయబడతాయి., దీనివల్ల సన్నగా ఉంటుంది, యాంత్రిక బలం మరియు ఉష్ణ వాహకతను ఆప్టిమైజ్ చేసే పూర్తిగా దట్టమైన సూక్ష్మ నిర్మాణాలు.

కాంప్లిమెంటరీ కార్బన్ వంటి కాలుష్య కారకాలు, సిలికా (SiO ₂), లేదా బోరాన్ లేదా అల్యూమినియం వంటి సింటరింగ్ సహాయాన్ని జాగ్రత్తగా నియంత్రించాలి, అవి అధిక-ఉష్ణోగ్రత బలం మరియు ఆక్సీకరణ నిరోధకతను తగ్గించే ఇంటర్‌గ్రాన్యులర్ చలనచిత్రాలను ఏర్పరుస్తాయి.

అవశేష సచ్ఛిద్రత, తక్కువ స్థాయిలో కూడా (

అధునాతన సిరామిక్స్ అక్టోబర్‌లో స్థాపించబడింది 17, 2012, పరిశోధన మరియు అభివృద్ధికి కట్టుబడి ఉన్న హైటెక్ సంస్థ, ఉత్పత్తి, ప్రాసెసింగ్, సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ప్లేట్లు వంటి సిరామిక్ సంబంధిత పదార్థాల విక్రయాలు మరియు సాంకేతిక సేవలు. మా ఉత్పత్తులు బోరాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులకు మాత్రమే పరిమితం కాకుండా ఉంటాయి, బోరాన్ నైట్రైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, సిలికాన్ నైట్రైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, జిర్కోనియం డయాక్సైడ్ సిరామిక్ ఉత్పత్తులు, మొదలైనవి. మీకు ఆసక్తి ఉంటే, దయచేసి మమ్మల్ని సంప్రదించడానికి సంకోచించకండి.
ట్యాగ్‌లు: సిలికాన్ కార్బైడ్ ప్లేట్,కార్బైడ్ ప్లేట్,సిలికాన్ కార్బైడ్ షీట్

అన్ని వ్యాసాలు మరియు చిత్రాలు ఇంటర్నెట్ నుండి వచ్చినవి. ఏదైనా కాపీరైట్ సమస్యలు ఉంటే, దయచేసి తొలగించడానికి సమయానికి మమ్మల్ని సంప్రదించండి.

మమ్మల్ని విచారించండి