1. Crystallography ati Awọn Ilana Ohun elo ti Silicon Carbide
1.1 Polymorphism ati Atomic imora ni SiC
(Silikoni Carbide seramiki farahan)
Silikoni carbide (SiC) ni a covalent seramiki yellow ṣe soke ti ohun alumọni ati erogba awọn ọta ni a 1:1 stoichiometric o yẹ, yato si nipasẹ awọn oniwe-iyanu polymorphism– lori 250 daradara-mọ polytypes– gbogbo pinpin awọn iwe adehun covalent itọsọna ti o lagbara ṣugbọn o yatọ ni akopọ akopọ ti awọn bilayers Si-C.
Ọkan ninu awọn polytypes ti o wulo julọ ti imọ-ẹrọ jẹ 3C-SiC (onigun sinkii blende be), ati awọn iru hexagonal 4H-SiC ati 6H-SiC, kọọkan nfihan awọn iyatọ ti o tunṣe ni bandgap, itanna ni irọrun, ati iṣiṣẹ igbona ti o ni ipa ṣiṣeeṣe wọn fun awọn ohun elo kan pato.
Awọn toughness ti awọn Si– C adehun, pẹlu kan mnu agbara ti ni ayika 318 kJ/mol, underpins SiC ká phenomenal iduroṣinṣin (Mohs iduroṣinṣin ti 9– 9.5), ga yo ifosiwewe (~ 2700 ° C), ati resistance si ibajẹ kemikali ati mọnamọna gbona.
Ninu awọn awo seramiki, polytype ni gbogbogbo ti yan da lori lilo itumọ: 6H-SiC bori ninu awọn ohun elo ayaworan nitori irọrun ti iṣelọpọ, lakoko ti 4H-SiC jẹ gaba lori ni ẹrọ itanna agbara-giga fun irọrun ti ngbe ọya iyasọtọ rẹ.
Awọn ti o tobi bandgap (2.9– 3.3 eV da lori polytype) tun jẹ ki SiC jẹ insulator itanna ti o dara julọ ni fọọmu mimọ rẹ, botilẹjẹpe o le ṣe doped lati ṣiṣẹ bi semikondokito ni awọn irinṣẹ itanna pataki.
1.2 Microstructure ati Ipele ti nw ni seramiki farahan
Iṣiṣẹ ti awọn awo seramiki ohun alumọni carbide jẹ igbẹkẹle dale lori awọn abuda microstructural gẹgẹbi iwọn ọkà, sisanra, isokan ipele, ati hihan ti Atẹle awọn ipele tabi impurities.
Awọn apẹrẹ ti o ga julọ ni a maa n ṣe lati inu submicron tabi nanoscale SiC powders nipasẹ awọn ọna sintering to ti ni ilọsiwaju, nfa itanran-grained, patapata ipon microstructures ti o je ki darí agbara ati ki o gbona iba ina elekitiriki.
Awọn oludoti gẹgẹbi erogba ibaramu, yanrinrin (SiO ₂), tabi iranlọwọ sintering bi boron tabi aluminiomu ni lati ni iṣakoso ni pẹkipẹki, bi wọn ṣe le ṣe awọn fiimu intergranular ti o dinku agbara iwọn otutu ati resistance ifoyina.
Aseku porosity, paapaa ni awọn ipele kekere (
To ti ni ilọsiwaju Seramics da lori October 17, 2012, jẹ ile-iṣẹ imọ-ẹrọ giga ti o ṣe adehun si iwadii ati idagbasoke, iṣelọpọ, processing, tita ati awọn iṣẹ imọ-ẹrọ ti awọn ohun elo ibatan seramiki gẹgẹbi Silicon Carbide Ceramic Plates. Awọn ọja wa pẹlu ṣugbọn kii ṣe opin si Awọn ọja seramiki Boron Carbide, Awọn ọja seramiki boron Nitride, Awọn ọja seramiki Silicon Carbide, Awọn ọja seramiki Silicon Nitride, Awọn ọja seramiki Dioxide Zirconium, ati be be lo. Ti o ba nife, jọwọ lero free lati kan si wa.
Awọn afi: ohun alumọni carbide awo,carbide awo,ohun alumọni carbide dì
Gbogbo awọn nkan ati awọn aworan wa lati Intanẹẹti. Ti o ba wa eyikeyi awọn ọran aṣẹ lori ara, jọwọ kan si wa ni akoko lati parẹ.
Beere wa