1. Kristallografy en materiaalprinsipes fan silisiumkarbid
1.1 Polymorfisme en Atomic Bonding yn SiC
(Silisiumkarbid keramyske platen)
Silisiumkarbid (SiC) is in kovalente keramyske ferbining makke út silisium en koalstofatomen yn in 1:1 stoichiometrysk ferhâlding, ûnderskiede troch syn geweldige polymorfisme– oer 250 bekende polytypes– allegear diele sterke rjochting kovalente obligaasjes, mar fariearjend yn steapele rige fan Si-C bilayers.
Ien fan 'e meast technologysk relevante polytypen binne 3C-SiC (kubike sink blende struktuer), en de hexagonale soarten 4H-SiC en 6H-SiC, elk showing ferfine fariaasjes yn bandgap, elektroanen fleksibiliteit, en termyske conductivity dy't beynfloedzje harren leefberens foar bepaalde applikaasjes.
De taaiens fan de Si– C bondel, mei in bondelkrêft fan rûnom 318 kJ/mol, ûnderstreket de fenomenale fêstichheid fan SiC (Mohs soliditeit fan 9– 9.5), hege melting faktor (~ 2700 °C), en ferset tsjin gemyske degradaasje en termyske skok.
Yn keramyske platen, de polytype wurdt oer it algemien selektearre op basis fan it bedoelde gebrûk: 6H-SiC hearsket yn arsjitektoanyske tapassingen fanwegen syn gemak fan synteze, wylst 4H-SiC dominearret yn hege-power elektroanika foar syn útsûnderlike fee carrier fleksibiliteit.
De grutte bandgap (2.9– 3.3 eV ôfhinklik fan polytype) ek makket SiC in poerbêste elektryske isolator yn syn suvere foarm, hoewol it kin wurde doped om te funksjonearjen as in semyconductor yn spesjalisearre elektroanyske ark.
1.2 Mikrostruktuer en poadiumreinens yn keramyske platen
De effisjinsje fan silisiumkarbid keramyske platen is kritysk ôfhinklik fan mikrostrukturele attributen lykas nôtdiminsje, dikte, poadium homogeniteit, en de sichtberens fan sekundêre stadia of ûnreinheden.
Heechweardige platen wurde normaal makke fan submikron as nanoskaal SiC-poeders fia avansearre sintermetoaden, feroarsaakje fynkorrelige, folslein dichte mikrostruktueren dy't meganyske sterkte en termyske konduktiviteit optimalisearje.
Fersmoargjende stoffen lykas kompleet koalstof, silika (SiO ₂), as sinterhelp lykas borium of aluminium moatte soarchfâldich kontrolearre wurde, om't se yntergranulêre films kinne foarmje dy't sterkte op hege temperatuer en oksidaasjebestriding ferminderje.
Residuele porositeit, sels op lege nivo's (
Advanced Ceramics oprjochte op oktober 17, 2012, is in hege-tech ûndernimming ynsette foar it ûndersyk en ûntwikkeling, produksje, ferwurking, ferkeap en technyske tsjinsten fan keramyske relative materialen lykas Silicon Carbide Ceramic Plates. Us produkten omfetsje mar net beheind ta Boron Carbide Ceramic Products, Boron Nitride Ceramic Products, Silisiumkarbid keramyske produkten, Silicon Nitride Ceramic Products, Zirconium Dioxide Ceramic Products, ensfh. As jo ynteressearre binne, nim dan gerêst kontakt mei ús op.
Tags: silisiumkarbidplaat,karbidplaat,silisiumkarbidblêd
Alle artikels en foto's binne fan it ynternet. As d'r auteursrjochtproblemen binne, nim dan kontakt mei ús op tiid om te wiskjen.
Freegje ús