1. Kristalografio kaj Materialaj Principoj de Silicia Karbido
1.1 Polimorfismo kaj Atoma Ligado en SiC
(Siliciaj Karburaj Ceramikaj Platoj)
Silicia karbido (SiC) estas kovalenta ceramika kunmetaĵo formita de silicio kaj karbonatomoj en a 1:1 stoiĥiometria proporcio, distingita per sia mirinda polimorfismo– super 250 konataj plurtipoj– ĉiuj dividante fortajn direktajn kovalentajn ligojn sed variantaj en stakserioj de Si-C bitavoloj.
Unu el la plej teknologie signifaj politipoj estas 3C-SiC (kuba zinka miksa strukturo), kaj la sesangulaj specoj 4H-SiC kaj 6H-SiC, ĉiu montrante rafinitajn variojn en bandgap, elektrona fleksebleco, kaj varmokondukteco kiuj influas ilian daŭrigeblecon por specialaj aplikoj.
La forteco de la Spaco Strategiaj informoj– C ligo, kun ligopovo de ĉirkaŭe 318 kJ/mol, subtenas la fenomenan firmecon de SiC (Mohs-forteco de 9– 9.5), alta degela faktoro (~ 2700 °C), kaj rezisto al kemia degenero kaj termika ŝoko.
En ceramikaj teleroj, la politipo estas ĝenerale elektita surbaze de la intencita uzo: 6H-SiC regas en arkitekturaj aplikoj pro sia facileco de sintezo, dum 4H-SiC dominas en alt-potenca elektroniko por ĝia escepta kotiza fleksebleco.
La granda bandgap (2.9– 3.3 eV depende de politipo) ankaŭ igas SiC bonegan elektran izolilon en sia pura formo, kvankam ĝi povas esti dopita por funkcii kiel duonkonduktaĵo en specialecaj elektronikaj iloj.
1.2 Mikrostrukturo kaj Stage Purity en Ceramikaj Platoj
La efikeco de siliciokarburaj ceramikaj platoj estas kritike dependa de mikrostrukturaj atributoj kiel ekzemple grendimensio, dikeco, sceneja homogeneco, kaj la videbleco de sekundaraj stadioj aŭ malpuraĵoj.
Altkvalitaj platoj estas kutime fabrikitaj de submikronaj aŭ nanoskalaj SiC-pulvoroj per progresintaj sintermetodoj, kaŭzante fajngrajnajn, tute densaj mikrostrukturoj kiuj optimumigas mekanikan forton kaj termikan konduktivecon.
Malpurigaĵoj kiel komplementa karbono, siliko (SiO ₂), aŭ sinteriza helpo kiel boro aŭ aluminio devas esti zorge kontrolita, ĉar ili povas formi intergranulajn filmojn, kiuj malpliigas alt-temperaturan forton kaj oksidiĝan reziston.
Resta poreco, eĉ ĉe malaltaj niveloj (
Advanced Ceramics fondita en oktobro 17, 2012, estas altteknologia entrepreno kompromitita al la esplorado kaj evoluo, produktado, prilaborado, vendoj kaj teknikaj servoj de ceramikaj relativaj materialoj kiel Silicon Carbide Ceramic Plates. Niaj produktoj inkluzivas sed ne limigitajn al Boro-Karbido-Ceramikaj Produktoj, Boro Nitruro Ceramikaj Produktoj, Silicon Carbide Ceramikaj Produktoj, Silicio Nitruro Ceramikaj Produktoj, Zirkonio-Dioksidaj Ceramikaj Produktoj, ktp. Se vi interesiĝas, bonvolu bonvolu kontakti nin.
Etikedoj: silicikarbura plato,karbura plato,silicio-karbura folio
Ĉiuj artikoloj kaj bildoj estas el la Interreto. Se estas problemoj pri kopirajto, bonvolu kontakti nin ĝustatempe por forigi.
Demandu nin