1. Crystallography និងគោលការណ៍សម្ភារៈនៃ Silicon Carbide
1.1 Polymorphism និងការភ្ជាប់អាតូមិចនៅក្នុង SiC
(ចានសេរ៉ាមិច Silicon Carbide)
ស៊ីលីកុនកាបូន (ស៊ី.ស៊ី) is a covalent ceramic compound made up of silicon and carbon atoms in a 1:1 stoichiometric proportion, distinguished by its amazing polymorphism– ជាង 250 well-known polytypes– all sharing strong directional covalent bonds but varying in stacking series of Si-C bilayers.
One of the most technologically relevant polytypes are 3C-SiC (cubic zinc blende structure), និងប្រភេទ hexagonal 4H-SiC និង 6H-SiC, each showing refined variations in bandgap, electron flexibility, and thermal conductivity that influence their viability for particular applications.
ភាពរឹងរបស់ស៊ី– C ចំណង, with a bond power of around 318 kJ/mol, underpins SiC’s phenomenal firmness (Mohs ភាពរឹងមាំនៃ 9– 9.5), កត្តារលាយខ្ពស់។ (~ 2700 °គ), and resistance to chemical degradation and thermal shock.
នៅក្នុងចានសេរ៉ាមិច, the polytype is generally selected based upon the meant use: 6H-SiC prevails in architectural applications due to its ease of synthesis, while 4H-SiC dominates in high-power electronics for its exceptional fee carrier flexibility.
គម្លាតធំ (2.9– 3.3 eV depending upon polytype) also makes SiC an excellent electrical insulator in its pure form, though it can be doped to function as a semiconductor in specialized electronic tools.
1.2 Microstructure និងភាពបរិសុទ្ធដំណាក់កាលនៅក្នុងចានសេរ៉ាមិច
The efficiency of silicon carbide ceramic plates is critically dependent on microstructural attributes such as grain dimension, កម្រាស់, ភាពដូចគ្នានៃដំណាក់កាល, and the visibility of secondary stages or impurities.
High-grade plates are usually fabricated from submicron or nanoscale SiC powders via advanced sintering methods, បណ្តាលឱ្យមានធញ្ញជាតិល្អ។, completely dense microstructures that optimize mechanical strength and thermal conductivity.
Pollutants such as complimentary carbon, ស៊ីលីកា (ស៊ីអូ₂), or sintering help like boron or aluminum have to be carefully controlled, as they can form intergranular movies that decrease high-temperature strength and oxidation resistance.
Residual porosity, even at low levels (
Advanced Ceramics បានបង្កើតឡើងនៅខែតុលា 17, 2012, គឺជាសហគ្រាសបច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់ដែលប្តេជ្ញាចិត្តចំពោះការស្រាវជ្រាវ និងការអភិវឌ្ឍន៍, ផលិតកម្ម, ដំណើរការ, ការលក់ និងសេវាកម្មបច្ចេកទេសនៃសម្ភារៈទាក់ទងសេរ៉ាមិច ដូចជា Silicon Carbide Ceramic Plates. ផលិតផលរបស់យើងរួមបញ្ចូលប៉ុន្តែមិនកំណត់ចំពោះផលិតផលសេរ៉ាមិច Boron Carbide ទេ។, ផលិតផលសេរ៉ាមិច Boron Nitride, ផលិតផលសេរ៉ាមិច Silicon Carbide, ផលិតផលសេរ៉ាមិចស៊ីលីកុននីទ្រីត, Zirconium Dioxide ផលិតផលសេរ៉ាមិច, ល។. ប្រសិនបើអ្នកចាប់អារម្មណ៍, សូមទាក់ទងមកយើងខ្ញុំដោយសេរី.
ស្លាក: ចានស៊ីលីកុនកាបូន,ចាន carbide,សន្លឹកស៊ីលីកុនកាបូន
អត្ថបទ និងរូបភាពទាំងអស់គឺមកពីអ៊ីនធឺណិត. ប្រសិនបើមានបញ្ហារក្សាសិទ្ធិ, សូមទាក់ទងមកយើងខ្ញុំទាន់ពេលដើម្បីលុប.
សាកសួរពួកយើង