1. Kristalografia i Prinsipionan di Material di Karburo di Silikon
1.1 Polimorfismo i Enlase Atómiko den SiC
(Plachinan di seramika di karburo di silikon)
Karburo di silikon (SiC) ta un komponente di serámika kovalente trahá di atòmnan di silikon i karbon den un 1:1 proporshon stoikiométriko, distinguí pa su polimorfismo asombroso– pasá 250 politiponan bon konosí– tur ta kompartí vínkulonan kovalente direkshonal fuerte pero ta varia den seri di kapa di Si-C.
Un di e politiponan mas teknológikamente relevante ta 3C-SiC (struktura di meskla di zink kúbiko), i e tiponan heksagonal 4H-SiC i 6H-SiC, kada un ta mustra variashonnan refiná den bandgap, fleksibilidat di elektrón, i konduktividat termal ku ta influensiá nan viabilidat pa aplikashonnan partikular.
E dureza di e Si– C bond, ku un poder di bond di alrededor di 318 kJ/mol, ta sostené e firmesa fenomenal di SiC (Solides di Mohs di 9– 9.5), faktor haltu di smelt (~ 2700 ° C), i resistensia na degradashon kímiko i shòk termal.
Den plachinan di seramika, e politipo generalmente ta wòrdu selektá a base di e uso menshoná: 6H-SiC ta prevalesé den aplikashonnan arkitektóniko debí na su fasilidat di síntesis, miéntras ku 4H-SiC ta dominá den elektróniko di alto poder pa su fleksibilidat di portadó di tarifa eksepshonal.
E bandgap grandi (2.9– 3.3 eV dependiendo di politipo) tambe ta hasi SiC un isoladó eléktriko ekselente den su forma puru, ounke e por wòrdu dopá pa funshoná komo un semikonduktor den hèrmèntnan elektróniko spesialisá.
1.2 Mikrostruktura i puresa di etapa den plachinan di seramika
E efisiensia di plachinan di seramika di karburo di silikon ta dependé kritikamente di atributonan mikrostruktural manera dimenshon di grano, diki, homogenidat di etapa, i e visibilidat di etapanan sekundario òf impuresanan.
Plachinan di kalidat haltu ta wòrdu fabriká generalmente for di polvonan di SiC submikron òf nanoeskala via métodonan di sinterisashon avansá, kousa grano fini, mikrostrukturanan kompletamente denso ku ta optimalisá forsa mekaniko i konduktividat termal.
Kontaminantenan manera karbon komplementario, sílika (SiO ₂), òf yudansa di sinterisashon manera boron òf aluminio mester wòrdu kontrolá kuidadosamente, ya ku nan por forma pelíkulanan intergranular ku ta baha forsa na temperatura haltu i resistensia na oksidashon.
Porosidat residual, asta na nivelnan abou (
Advanced Ceramics a wòrdu fundá riba 20 di òktober 17, 2012, ta un empresa di teknologia haltu komprometé na e investigashon i desaroyo, produkshon, prosesamentu, benta i servisio tékniko di materialnan relativo di seramika manera Plachinan di Seramika di Karburo di Silikon. Nos produktonan ta inkluí pero no limitá na Produktonan di Seramika di Karburo di Boro, Produktonan di seramika di nitruro di boro, Produktonan di seramika di karburo di silikon, Produktonan di seramika di nitruro di silikon, Produktonan di seramika di dióksido di zirkonio, etc. Si bo ta interesá, por fabor sinti bo liber pa tuma kontakto ku nos.
Tags: plachi di karburo di silikon,plachi di karburo,blachi di karburo di silikon
Tur artíkulo i potrèt ta for di Internèt. Si tin kualke problema di derecho di outor, por tuma kontakto ku nos na tempu pa delete.
Konsulta nos